原始名称记载: 厦门三安光电有限公司

本发明涉及半导体技术领域，提供一种LED芯片及发光装置，LED芯片包括衬底，衬底具有相对设置的正面及背面；外延叠层，形成在衬底的正面，外延叠层包括依次堆叠设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层，外延叠层形成有发光台面、第一电极台面和第二电极台面，第一电极台面和第二电极台面位于发光台面的两侧，第一电极台面与发光台面之间由第一沟槽相互间隔，第二电极台面与发光台面之间由第二沟槽相互间隔，第一电极台面暴露第一半导体层，第一沟槽和第二沟槽暴露衬底。本发明提供的LED芯片及发光装置能够保证发光均匀性，发光效率高，使用荧光膜替代荧光粉，能够保证封装色温的一致性，避免出现明显黄斑。

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置，其包括半导体叠层、第一透明导电层、第二透明导电层和金属电极，半导体叠层具有相对的上表面和下表面，半导体叠层沿下表面到上表面的方向包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有台面，台面露出第一半导体层，第一透明导电层设置在半导体叠层的下表面，第二透明导电层设置在第二半导体层之上，金属电极设置在台面上并电连接第一半导体层。借此设置，可以使得二极管在电泳槽中自动转正，以提升转移的效率。

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置，其包括半导体叠层、第一透明导电层和金属电极，半导体叠层沿下表面到上表面的方向包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有台面，台面裸露出第一半导体层，第一透明导电层设置在第二半导体层之上，金属电极设置在台面上并连接第一半导体层，定义半导体叠层的上表面到半导体叠层的下表面的高度差为第一高度差，半导体叠层的上表面到台面的高度差为第二高度差，第二高度差与第一高度差的比值范围为0.35:1~0.5:1。借此设置，可以使得二极管在电泳槽中自动转正，以提升转移的效率。

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、第一绝缘层、透明导电层、第一插入层、第一电极、第二电极，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一绝缘层覆盖部分第二半导体层，透明导电层覆盖第一绝缘层并电连接第二半导体层，第一插入层覆盖部分透明导电层，第一电极电连接第一半导体层，第二电极设置在第一插入层之上并电连接第二半导体层，俯视来看，第一插入层不超出第一绝缘层的外边缘。借此，可以提升发光二极管的出光性能。

本申请提供了一种半导体激光元件及发光装置，在第一包覆层和第一波导层之间插入电子提供层，所述电子提供层的厚度小于或等于100nm，且所述电子提供层的n型掺杂浓度大于或等于3×10atom/cm。通过高Si掺杂来提升电子浓度，促进电子从n型层向有源区的有效注入，从而有效增加载流子在激光有源区的复合几率，进而提升激光器的整体效率。同时，减薄并精确控制该电子提供层的厚度，以确保在提升局限因子的同时，尽量减少高Si掺杂对激光器件光电性能的负面影响，减降低产生晶体结构缺陷的概率，确保激光元件的性能稳定性，最终达到提高出光亮度的目的。

本申请提供了一种半导体激光元件及发光装置，半导体激光元件通过在第一波导层与有源层之间插入应力释放层，将晶格常数从衬底层较好地过渡到有源层，降低晶格畸变率，提高层间晶格匹配度，为有源层提供更好的生长环境，减少有源层表面的微坑缺陷，提高有源层晶体质量；同时应力释放层中In组分峰值强度小于第一波导层中的In组分含量，以精确控制激光波长和载流子复合位置，减少电子溢流，提高载流子复合效率及增益效果，避免产生双峰现象，最终达到提高出光亮度的目的。

本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括至少包括一外延结构：外延结构至少包含依次堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；其中：有源层包括M个周期重复堆叠的阱层和垒层，阱层为含In的氮化物材料层；在M个阱层中至少包括N个第一阱层，M、N为正整数且M≥N≥1，每个第一阱层包括相邻的第一子阱层及第二子阱层；第一子阱层靠近第一半导体层；沿有源层的厚度方向上，第一子阱层的铟含量由第一含量升高至第二含量，第二子阱层的铟含量为第二含量。由此，本发明通过对有源层结构的优化，可以缓解垒层和高铟组分的阱层之间的晶格失配和改善载流子分布不均的现象，有利于提高有源层的辐射复合概率，从而提升内量子效率。

本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管至少包括一外延结构，该外延结构至少包含依次堆叠的第一半导体层、有源层及第二半导体层。其中，有源层包括多个周期重复堆叠的阱层和垒层，阱层为含In的氮化物材料层，其中，阱层中铟的摩尔含量为25％以上；垒层为不含Al的氮化物材料层，外延结构包括V型坑。由此，本发明通过对垒层的优化，有利于提高有源层内的辐射复合概率，从而提升内量子效率。

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、第一绝缘层、透明导电层、第一插入层、第一电极、第二电极和保护层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一绝缘层覆盖部分第二半导体层，透明导电层覆盖第一绝缘层并电连接第二半导体层，第一插入层覆盖部分透明导电层，第一电极电连接第一半导体层，第二电极设置在第一插入层之上并电连接第二半导体层，保护层设置在半导体叠层、第一电极和第二电极之上，第一插入层的开口尺寸小于等于透明导电层的开口尺寸。借此，可以避免电极脱落风险并达成亮度与可靠性的协同优化。