成都超纯应用材料股份有限公司

本发明公开了一种半导体设备石英管内壁多晶硅薄膜的制备方法，S1前处理，对石英管内壁依次进行有机溶剂清洗、酸蚀刻、碱处理，得到内壁表面具有亲水性Si‑OH键的石英管；S2将石英管水平放置于沉积设备中，外壁与夹具间设置石墨纸作为柔性导热缓冲层，通入硅烷沉积多晶硅薄膜；S3防裂后处理，先吹扫并湿法清洗，于氧气气氛下进行低温氧化热处理，钝化薄膜晶界处悬空键形成稳定的Si‑O‑Si键。本发明所得薄膜截面孔隙率≤0.01%，轴向厚度偏差≤8%。

本发明公开了一种半导体用无金属烧结助剂堇青石陶瓷体的分段烧结制备方法，属于半导体先进制程领域，包括以下步骤：S1，将堇青石粉、润滑剂、分散剂和粘结剂按重量比为95~97：0.5~1：1~3.5：1混合均匀后进行球磨；S2，将球磨后的混合物进行喷雾造粒，得到造粒粉；S3，将造粒粉进行预压成型，得到堇青石素坯；S4，将堇青石素坯进行低温煅烧；S5，高温烧结：以升温速度为5℃/min~10℃/min，升温到1300℃~1400℃时保温3h~6 h；S6，以降温速度为0.5℃/min~1℃/min，降至常温，得到堇青石陶瓷材料。本发明无金属烧结助剂参与，制成的堇青石陶瓷体CTE绝对值可低至8.8。