原始名称记载: 英诺赛科（苏州）半导体有限公司

本发明公开了一种双向功率器件的动态导通电阻的测量电路及测量方法，测量电路包括：信号生成模块和双向箝位电路；信号生成模块被配置为生成第一驱动信号、第二驱动信号以及箝位控制信号，并控制箝位控制信号的有效电平时段与第一驱动信号以及第二驱动信号同时为有效电平的时段对应；双向箝位电路包括双向开关模块，双向开关模块被配置为在箝位控制信号的有效电平时段导通，以将待测双向功率器件两端的电压箝位至预设电位；在箝位控制信号的无效电平时段关断，并对待测双向功率器件两端的正极性电压和负极性电压均呈现高阻抗状态。本发明可以解决现有技术无法对待测双向功率器件在交流工况下的动态电阻进行精确测量的技术问题。

本发明公开了一种功率器件驱动电路，包括：控制模块、驱动模块、功率器件开关模块、电流采样模块和采样信号处理模块；驱动模块包括接地端，功率器件开关模块的一端接入电源电压，功率器件开关模块的另一端与接地端连接；电流采样模块的一端与驱动模块的接地端连接，电流采样模块的另一端接入系统接地信号；电流采样模块采样流经功率器件开关模块的电流，并转换为电压信号；采样信号处理模块用于根据电压信号输出过流保护信号至控制模块，控制模块用于根据过流保护信号通过驱动模块驱动功率器件开关模块导通或关断。本发明有效解决了高速功率器件误触发或损坏的问题。

本申请涉及半导体技术领域，提供一种氮化镓器件以及方法，其中氮化镓器件包括：二维电子气层组，用于形成二维电子气；第一氮化镓层，设置于二维电子气层组上；渐变层组，设置于第一氮化镓层上；栅极金属层，设置于渐变层组上。通过渐变层组在金属层与第一氮化镓层之间的能带形成能带势垒，增强对空穴的阻挡能力。当栅极施加正偏压时，渐变层组的能带势垒可以抑制空穴从栅极向二维电子气注入，并且，势垒高度沿远离二维电子气的方向先增加后减小，渐变的势垒高度能够在内部形成对应的电场进一步抑制空穴的注入，也同时抑制电子从二维电子气向栅极的注入，从而降低栅极漏电流和减小阈值电压漂移，增强栅极的耐压能力和鲁棒性。

本发明公开了一种封装结构的制备方法。封装结构的制备方法包括：提供待封装晶圆；在待封装晶圆表面制备第一电镀金属层和塑封层；或者，在待封装晶圆表面制备第一电镀金属层、至少一层第二电镀金属层和塑封层；其中，所述塑封层包覆所述待封装晶圆；所述第一电镀金属层包括相互连接的外接引脚和第一连接部；所述外接引脚设置于所述塑封层外；所述塑封层设置有所述外接引脚的一侧设置有第一通孔，所述第一连接部设置于所述第一通孔内。本发明实施例可以提高生产效率，提高封装结构的结构稳定性。