原始名称记载: 东京毅力科创株式会社

本发明提供一种异常放电检测方法和控制装置，基于被实施了处理的图像来检测微小的异常放电。控制装置(40)基于拍摄处理容器(11)的内部所得到的运动图像获取用灰度表示出了属于用于检测微小的异常放电的时序评价对象范围的帧的图像的灰度图像，并对该灰度图像进行用于调整对比度的平坦化处理。另外，控制装置(40)获取用不同的像素值表示出了通过背景差分法在作为处理对象的平坦化图像中被确定为相对于背景的前景的差分部位以及除该差分部位以外的部位的二值化图像。并且，控制装置(40)对该二值化图像将闭处理和开处理至少各进行一次，并输出用于检测微小的异常放电的放电图像。

公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、高频电源、偏置电源及控制部。偏置电源构成为周期性地将脉冲状的负极性的直流电压施加到基板支承器。控制部构成为控制高频电源。控制部为了降低来自高频电源的负载的反射波的功率电平，控制高频电源，以使在对基板支承器施加来自偏置电源的脉冲状的负极性的直流电压的周期内供给其频率变化的高频电力。

本发明提供一种提高基片处理装置的配方的性能评价容易度的技术。本发明的信息处理装置对按照配方进行成膜处理的基片处理装置的所述配方进行性能评价，所述信息处理装置包括：预测部，其预测按照配方进行成膜处理的基片处理装置的成膜结果；配方性能评价部，其根据预测出的基片处理装置的成膜结果，按每个评价项目进行配方的性能评价；和显示控制部，其按每个所述评价项目显示配方的性能评价。

本发明提供能够期待将使用了大型模型的模拟等处理高速化的信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置。本实施方式的信息处理方法是信息处理装置进行使用了大型模型的模拟的信息处理方法，该大型模型包含多个小型模型而构成，其中，上述信息处理装置进行下述处理：针对上述大型模型中包含的规定小型模型，将输入数据以及输出数据的对应关系预先存储于存储部，在模拟中向上述规定小型模型输入了数据的情况下，基于预先存储于上述存储部的数据来生成代理模型，使用生成的上述代理模型，生成与向上述规定小型模型的输入数据对应的输出数据，该代理模型在包含被输入的数据的局部范围内代理上述规定小型模型。

本公开涉及一种抗蚀剂膜成膜方法、抗蚀剂膜成膜装置以及存储介质，在通过气体处理在基板形成抗蚀剂膜时提高处理效率。本公开的抗蚀剂膜成膜方法包括以下工序：成膜工序，将包括保存基板的处理容器内的处理空间的调整区域设为第二气氛，向所述第二气氛的所述处理空间供给含抗蚀剂成分气体来在所述基板形成抗蚀剂膜，所述第二气氛是与该调整区域的外侧的第一气氛相比低氧浓度和低湿度且压力为所述外侧的压力或该压力的附近的压力的气氛；以及加热工序，在被设为了所述第二气氛的所述处理空间对曝光前的形成有所述抗蚀剂膜的所述基板进行加热。

本公开提供一种基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。本公开的基板处理系统具备：一个处理容器和其它处理容器，所述一个处理容器和所述其它处理容器分别形成保存基板的一个处理空间和其它处理空间；气氛调整机构，其将包括所述一个处理空间和所述其它处理空间的调整区域设为第二气氛，所述第二气氛是比该调整区域的外侧的第一气氛低氧浓度和低湿度且压力为所述外侧的压力或该压力的附近的压力的气氛；抗蚀剂膜成膜装置，其具备所述一个处理容器，向所述第二气氛的所述一个处理空间供给含抗蚀剂成分气体来在所述基板形成抗蚀剂膜；以及热处理装置，其具备所述其它处理容器，在所述第二气氛下加热所述抗蚀剂膜被曝光前的所述基板。

本发明提供能够容易高精度地检测导电性配管的导电性的劣化的基片处理装置和导电性配管劣化程度判断方法。基片处理装置包括：基片保持部；喷嘴部；对喷嘴部供给处理液的导电性配管；将导电性配管与基准电位连接的接地线；设置在基片保持部的周围的液接收部，其接收从喷嘴部释放的液体；和用于测量导电性配管的导电性的劣化程度的劣化程度测量部，劣化程度测量部包括：对导电性配管供给测量用液体，从喷嘴部释放测量用液体的测量用液体供给部；对液接收部的接液面与基准电位之间施加电位差的电位差施加部；电流计，其在将测量用液体从喷嘴部释放到液接收部时，测量流过在液接收部的接液面与接地线之间经由测量用液体建立的电荷移动路径的电流值。

本公开提供一种形成钼的金属膜的方法及装置，能够形成电阻率小的钼的金属膜。在基板形成钼的金属膜时，实施以下工序：对基板形成钨的金属基底膜；以及对金属基底膜形成所述金属膜。通过对钨的金属基底膜形成钼的金属膜，钼的晶粒尺寸变大，能够形成电阻率小的钼的金属膜。

本发明提供一种成膜装置，其稳定地同时供给多种工艺气体。一种成膜装置，在可将第1原料气体、第2原料气体、反应气体供给至处理容器的成膜装置中，具备：可将所述第1原料气体和所述第2原料气体同时供给至所述处理容器的气体供给时机调整机构，以及控制所述气体供给时机调整机构的控制部。

本发明的上部顶板是配置在腔室的上部的上部顶板，包括：基座；配置在基座的下表面侧的上部电极；和导热介质，其设置在基座的下表面与上部电极的上表面之间，填充在由密封件包围的传热空间中，基座在与传热空间邻接的下表面形成有与传热空间连通的缓冲空间，导热介质还填充在缓冲空间的一部分中。

一种温度调节系统，对等离子体处理腔室内的部件进行冷却，其包括罐、冷却机构、流出流路、流入流路以及泵。罐构成为贮存在常温常压下为气体的温度调节介质。冷却机构构成为使罐内贮存的温度调节介质液化。流出流路构成为与罐的流出口连接，使温度调节介质向通过温度调节介质的热交换而冷却部件的温度调节部流出。流入流路构成为与罐的流入口连接，使热交换后的温度调节介质从温度调节部流入。泵构成为被设置在流出流路中，将罐中贮存的温度调节介质送出。

提供了测量腔室的电特性的技术。提供了等离子体处理装置。等离子体处理装置具备：腔室；射频电源；测量机器，周期性地或连续地确定腔室与射频电源之间的节点处的射频反射特性；存储部，保存静态特性；和控制部，执行等离子体点火判定序列，等离子体点火判定序列包括：对周期性地或连续地确定的射频反射特性与保存在存储部中的静态特性进行比较，在射频反射特性与静态特性之间的差值为阈值以下的情况下，判定为在腔室内未点火等离子体；和在射频反射特性与静态特性之间的差值大于阈值的情况下，判定为在腔室内点火等离子体。静态特性是在将低功率射频信号从射频电源供给至腔室时的节点处的射频反射特性，低功率射频信号具有在腔室内未点火等离子体程度的功率。

等离子体处理装置具有腔室、载置台、多个电极、电源、开关部和控制部。腔室构成为能够在内部生成等离子体。载置台配置在腔室内，由电介质形成，构成为能够载置基片，并且构成为能够在基片的周围载置环组件。多个电极设置在载置台的内部的与环组件相对的部分。电源构成为能够供给用于吸引等离子体中的带电粒子的偏置电功率。开关部构成为能够将从电源供给的偏置电功率单独地供给至多个电极。控制部能够控制开关部。

本发明提供一种成膜装置及其保养方法。缩短停机时间。成膜装置具备：长方体形状的处理室，其收纳基板；载物台加热器，其配置于处理室的内部；气体供给部，其向处理室的内部供给成膜用的原料气体；以及圆筒形状的套筒，其配置于处理室的内部，套筒以两端的开口分别与载物台加热器和气体供给部相对的方式配置，在处理室的一侧面配置有能够开闭的保养用门，在一侧面以外的各侧面的内侧配置有第1侧加热器，在保养用门的内侧安装有第2侧加热器，在保养用门关闭时，第1侧加热器和第2侧加热器包围套筒，第1侧加热器构成为，在保养用门打开时能够从一侧面取出该第1侧加热器。

本发明提供显影用流体供给装置、显影装置和显影用流体供给方法，供给适于含金属抗蚀剂的显影的、包含弱酸的气体和雾中的至少任一者的显影用流体。显影用流体供给装置具有：与显影部连接的供给路径，该显影部能够利用包含弱酸的气体和雾中的至少任一者的显影用流体对形成有含金属抗蚀剂膜且实施了曝光处理的基片进行显影；从显影用液体生成所述显影用流体的显影用流体生成部；和加热部，其对经由所述供给路径供向所述显影部的所述显影用流体进行加热。

本公开提供一种处理装置和处理方法，能够使热历程的减少与处理气体的反应性的提高两立。本公开的一个方式的处理装置具备：处理容器，在该处理容器形成有用于对多张基板进行处理的处理空间；等离子体生成部，在该等离子体生成部形成有与所述处理空间连通并用于生成等离子体的等离子体生成空间；第一气体喷嘴，其向所述处理空间供给第一处理气体；以及第二气体喷嘴，其向所述等离子体生成空间供给第二处理气体，所述第二气体喷嘴具有气体加热部，所述气体加热部在所述第二气体喷嘴内加热所述第二处理气体。

本发明的课题在于提供一种能够高精度地识别原料的余量的技术。气体供给机构供给使原料气化得到的原料气体。气体供给机构包括：内侧容器，其收容所述原料；外侧容器，其具有能够相对位移地收容所述内侧容器的空间，并且使从所述内侧容器的所述原料产生的所述原料气体向外部流出；以及检测器，其检测所述内侧容器的重量相关的指标。在通过所述检测器来检测所述内侧容器的重量相关的指标之前，所述外侧容器的所述空间被减压至比大气压低的真空气氛。

本发明的等离子体处理装置即使供给脉冲化的DC信号也抑制基座电位的变动。等离子体处理装置包括腔室、供给脉冲化的偏置DC信号的偏置电源、在腔室内支承基片和边缘环的基片支承器、以及电路径。基片支承器具有：由电介质形成的静电吸盘，其包括保持基片的第1区域、和设置在第1区域的周围并保持边缘环的第2区域的；设置在第1区域的内部的第1偏置电极；设置在第2区域的内部的第2偏置电极；支承静电吸盘的基座；以及具有连接在第2偏置电极与基座之间的第1可变电容器的第1阻抗调节机构。电路径具有：连接偏置电源、基座和第1偏置电极的第1电路径；以及连接偏置电源、基座、第1阻抗调节机构和第2偏置电极的第2电路径。

提供一种能够提高泄漏到气体箱内的处理气体的检测精度的气体检测装置、气体供给系统以及基板处理装置。本公开的一技术方案的气体检测装置检测泄漏到气体箱内的处理气体，其中，该气体检测装置具有：抽吸部，其具有多个抽吸孔，该多个抽吸孔在与对所述气体箱内进行排气的排气管道的中心轴线正交的截面中在互不相同的位置抽吸所述处理气体；和气体检测器，其检测所述抽吸部所抽吸的所述处理气体。

本发明提供处理装置和处理系统。对消耗部件进行搬运的部件搬运装置包括部件收纳部、容器、机械臂和移动机构。部件收纳部收纳使用前的消耗部件和使用后的消耗部件。容器具有与处理装置连接的开口部和开闭开口部的闸门，收纳部件收纳部。机械臂设置在容器内，在前端具有末端执行器，能够经开口部从处理装置运出使用后的消耗部件并将其收纳在部件收纳部内，将使用前的消耗部件从部件收纳部取出并经开口部运入处理装置内。移动机构具有动力源，使部件搬运装置移动。