原始名称记载: 陕西亚成微电子股份有限公司

本发明提供一种SGT MOSFET结构及制造方法，包括位于衬底一侧的外延层、位于外延层中的多个沟槽，沟槽具有底部区域、中间区域和顶部区域；位于底部区域的电磁干扰抑制结构，位于中间区域的中间氧化层以及位于顶部区域的栅极结构；位于外延层中的体区，位于体区内的源极区，以及，贯穿源极区的源极接触孔，位于外延层的顶面的绝缘层；位于绝缘层远离衬底一侧的源极，以及，位于衬底另一侧的漏极。这样，通过在外延层的沟槽底部区域设置电磁干扰抑制结构，结合中间氧化层和栅极结构的分区设计，增大了SGTMOSFET的源漏电容，有效抑制器件的开关震荡，降低电磁干扰，同时保持低内阻和快速开关性能。