原始名称记载: 应用材料公司

本公开内容的实施例提供用于蚀刻氧化物材料的多种方法。本公开内容的一些实施例提供优先于其他材料而选择性蚀刻氧化物材料的方法。在一些实施例中，本公开内容的方法是通过原子层蚀刻（ALE）执行。在一些实施例中，本公开内容的方法是在包括镍腔室材料的处理腔室内执行。

示例性半导体处理腔室可包括腔室主体，所述腔室主体具有侧壁及基底。所述腔室可包括在所述腔室主体顶上搁置的泵送衬垫。所述泵送衬垫可至少部分界定环形泵送气室及至少一个排放孔，所述排放孔将所述泵送气室与所述腔室主体的内部流体耦接。所述腔室可包括在所述泵送衬垫之下搁置的净化环。所述净化环可界定绕所述净化环的主体延伸的环形通道。所述净化环可界定与所述环形通道流体耦接的气体入口。所述净化环可界定在绕所述净化环的不同径向位置处设置的净化端口，所述净化端口中的每一者与所述泵送气室对准并且流体连通。所述腔室可包括与所述气体入口耦接的净化气源。

本文提供了用于使基板对准的基板支撑件的实施例。在一些实施例中，一种用于使基板对准的基板支撑件包括：底板；旋转组件，所述旋转组件包括定子和转子，所述定子耦接到所述底板，所述转子经由设置在所述定子与所述转子之间的轴承可旋转地耦接到所述定子；波纹管组件，所述波纹管组件固定到所述转子；以及杠杆，所述杠杆具有第一端部和第二端部，所述第一端部耦接到所述转子，所述第二端部被配置为耦接到致动器；以及吸盘组件，所述吸盘组件设置在所述底板顶上并且固定地耦接到所述波纹管组件，其中所述吸盘组件是相对于所述底板沿中心轴线可旋转地且轴向地移动的，并且其中所述杠杆绕所述中心轴线的旋转使所述波纹管组件和所述吸盘组件相对于所述底板旋转，以使所述基板相对于所述底板对准。

一种清洁用于电子制造系统的腔室的方法包括使包含氧气和载气的气体混合物流入远程等离子体产生器中。方法进一步包括通过远程等离子体产生器由气体混合物产生等离子体并且通过使等离子体流入腔室的内部体积中来执行腔室的远程等离子体清洁，其中等离子体从腔室移除复数种有机污染物。

一种半导体装置及其制造方法。提供了一种基板。在基板的顶部上形成至少一个硅层。在至少一个硅层的顶部上形成至少一个硅锗层。至少一个硅锗层包括至少一种n型掺杂剂。形成具有至少一个硅层及至少一个硅锗层的半导体装置。

此处所述的实施例涉及具有多通道分离器线轴的气体管线系统。在这些实施例中，气体管线系统将包括配置成供应第一气体的第一气体管线。第一气体管线通过在其中流动第一气体的多个第二气体管线耦合至多通道分离器线轴。多个第二气体管线中的各个气体管线将具有比第一气体管线的空间要小的空间。较小的第二气体管线将通过加热器护套包覆。由于第二气体管线的较小的空间，当第一气体流动通过第二气体管线时，加热器护套将充分加热第一气体，从而在第一气体在气体管线系统中与第二气体相遇时，消除在常规气体管线系统中发生的凝结引发的粒子缺陷。

半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢流入半导体处理腔室的处理区域。基板可以被容纳在半导体处理腔室的处理区域内。方法还可以包括形成含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢的等离子体。等离子体可以在15 MHz以上的频率下形成。方法还可以包括将氮化硅材料沉积在基板上。

本公开内容提供了用于在TFT显示应用、半导体、或存储器应用中在含金属层上执行退火处理的方法。在一个实例中，一种在基板上形成含金属层的方法包括以下步骤：在处理腔室中的基板上供应含氧气体混合物，所述基板包括设置在光学透明基板上的含金属层；将所述处理腔室中的所述含氧气体混合物维持在约2巴和约50巴之间的处理压力下；和在所述含氧气体混合物存在的情况下热退火所述含金属层。

本公开内容提供了一种方法，包括在波导上方沉积镜，所述波导具有输入耦合器和输出耦合器。封装层沉积在镜上方。抗蚀剂形成在所述输入耦合器上方，从而暴露所述封装层的在非输入耦合器区域上方的残余封装部分。去除所述封装层的所述残余封装部分，从而暴露所述镜的在所述非输入耦合器区域上方的残余镜部分。去除所述输入耦合器的所述镜的所述残余镜部分，从而暴露所述波导的所述非输入区域。去除在所述输入耦合器上方的所述抗蚀剂，其中所述波导具有仅在所述输入耦合器上方的所述镜，并且所述封装层仅在所述镜上方。

用于形成波导的方法和设备。一个示例波导通常包括基板、设置于基板的第一表面上方的第一装置层、设置于基板的第二表面上方的第二装置层、设置于第一装置层上方的第一光栅、和设置于第二装置层上方的第二光栅，所述第一光栅包括在第一方向上布置的多个第一闪耀装置结构。每个第一闪耀装置结构通常包括多个阶梯、与第一装置层的主表面平行的所述多个阶梯中的每个阶梯的刻面法线、和由闪耀表面和刻面法线定义的闪耀角。第二光栅通常包括在第二方向上布置的多个第二闪耀装置结构，其中第二方向与第一方向不同。

一种用于形成氧化物层的方法包括在形成于基板上的沟槽的侧壁上形成保护性层间氧化物，通过利用含氮工艺气体的等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺在所述保护性层间氧化物上形成氮化硅层，所述氮化硅层具有从远离所述保护性层间氧化物的高浓度到靠近所述保护性层间氧化物的低浓度变化的氮的浓度梯度，及进行转化工艺以氧化所形成的氮化硅层以至少部分地将所形成的氮化硅层转化为氧化硅层。