浙江炬力新材料有限公司

本发明涉及自清洁膜技术领域，且公开了一种纳米材料的抗静电自清洁膜及其制备方法，由如下原料制备而成：氟硅改性聚氨酯丙烯酸酯树脂、季铵盐‑硅烷双重改性纳米氧化锡锑、锐钛矿型纳米二氧化钛、纳米二氧化硅、γ‑缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、乙基卡必醇醋酸酯、异丙醇、聚醚改性聚二甲基硅氧烷、封闭型异氰酸酯固化剂；本发明从原料配方到加工工序形成完整技术闭环，系统性解决现有膜层功能单一、填料团聚、界面易脱落、疏水与自清洁无法兼顾、抗静电时效短等系列行业问题。实际使用时既能够依靠导电填料抑制静电积聚，避免了静电吸尘与静电放电隐患，又可以借助疏水表层减少污渍黏附。