上海中欣晶圆半导体科技有限公司

本发明公开一种基于边缘形貌感知的晶圆二次倒角自适应研磨方法及系统，属于半导体晶圆加工技术领域，旨在解决现有二次倒角采用固定参数批量加工模式无法适配晶圆边缘个体缺陷差异，易引发缺陷扩展、晶圆碎裂、良率波动的技术问题。该方法通过预扫描采集晶圆全周边缘形貌图像，提取崩边与裂纹特征参数并完成风险分级，依据分级结果匹配差异化研磨策略，按周向扇区执行对应参数的分区研磨，加工过程采集振动与声发射信号实时监测状态，加工完成后开展轮廓复检并反馈结果，形成质量闭环。对应系统集成晶圆传输、光学检测、图像处理、研磨执行、过程监控五类功能单元。本发明可有效抑制边缘缺陷扩展，降低晶圆报废与耗材损耗，提升边缘轮廓一致性。

本发明公开了一种掉硅托盘，具体涉及半导体设备传送安全技术领域，包括防掉落检测联锁单元，所述防掉落检测联锁单元包括关键到位检测器和联锁控制模块。本发明中，即使托盘在传送过程中因阻力、偏斜、停靠位置误差或导向间隙等原因仅局部进入升降机构，并误触发原有第一到位检测器，联锁控制模块仍可根据关键到位检测器未输出真实到位信号而判定托盘未被可靠承托，从而禁止翻转轨道放下和/或禁止升降机构下降。多点检测与真实到位确认方式能够有效弥补原局部检测方式容易误判的缺陷，避免托盘在未完全放置到升降机构上的情况下继续执行后续动作，显著降低托盘掉落、硅片破损及现场安全风险，提高APCVD设备托盘传送过程的可靠性。

本发明属于半导体硅片加工设备技术领域，涉及一种ML贴付机背面伤不良率改善方法。现有ML贴付机中押部真空管路无调压缓冲结构，抽真空瞬间强气流冲击易引发硅片背面摩擦与应力损伤，背面伤不良率偏高，影响产品良率与后续制程精度。本方法应用于带中押部机构的ML贴付机，依次执行上料定位、密闭合腔、梯度抽真空、保压加工、泄压复位步骤，在真空管路串联真空减压阀，采用分段抽气控制，初期限流缓升，达过渡阈值后提升流量，保压阶段管控真空度波动，泄压阶段双阀协同调速，配合中压布实现柔性贴合。本发明可平缓真空度变化，消减气流冲击与应力集中，降低硅片背面伤不良率，改造成本低、适配性强，兼顾工艺稳定性与生产效率。

本发明涉及晶锭表面清理除尘技术领域，公开了一种全自动晶锭表面清理除尘设备及其清理方法，包括箱体，所述箱体的内部设置有自动上料机构、夹持旋转机构和清理除尘机构；所述自动上料机构包括输送组件和定位顶升组件，所述输送组件用于将待清洁的晶锭输入到箱体内部并将清洁完成的晶锭从箱体内部送出；该全自动晶锭表面清理除尘设备，通过设置自动上料机构、夹持旋转机构和清理除尘机构，并以视觉传感器和PLC控制器实现全流程自动化控制，解决了人工清理粉尘污染大、清理一致性差、效率低下的问题，同时克服了现有设备无法去除硬化砂浆残留的缺陷，实现了晶锭从上料到清理再到下料的无人化闭环作业。

本申请实施例公开了一种硅片腐蚀清除方法、设备、介质及产品；方法包括：对待腐蚀的半导体硅片进行表面活化预处理；将所述半导体硅片的硅片特征数据和表面活化预处理数据输入参数优化模型，得到初始腐蚀工艺参数；采用包含主腐蚀剂、表面改性剂和螯合剂的复合腐蚀液，按照所述初始腐蚀工艺参数对所述半导体硅片进行腐蚀处理；在所述腐蚀处理过程中，通过脉冲喷射和硅片姿态调节形成作用于所述半导体硅片表面的复合流场；获取所述半导体硅片表面的流场状态和残留状态，并根据所述流场状态和所述残留状态调节腐蚀工艺参数；腐蚀处理结束后，对所述半导体硅片进行等离子体原位残留清除。

本发明涉及硅片清洗设备技术领域，公开了一种防倾倒的槽式清洗摇动装置，包括清洗槽和清洗花篮，所述清洗槽的内部设置有凸轮摇动组件，且清洗槽上设置有托架组件，所述托架组件包括安装架、顶杆、转杆和托盘，所述安装架可拆卸固定安装在清洗槽的内部，所述顶杆竖直滑动安装在安装架上；该槽式清洗摇动装置，通过设置凸轮摇动组件驱动顶杆上下往复移动，转杆与顶杆转动连接并在上下移动时沿其轴线间歇旋转，托盘固定安装于转杆上端承载清洗花篮，使得清洗花篮在上下摇动的同时实现间歇自转，避免单一方向扰动造成的清洗死角，同时托盘结构防止花篮发生倾倒，解决现有凸轮窄尖点支撑导致侧向分力引起片盒倾倒和硅片移位的问题。

本发明涉及半导体硅片抛光技术领域，具体为一种减少晶向抛光片雾的工艺，包括将晶向硅片贴付于陶瓷载具后装入抛光设备，依次进行粗抛、采用使用时长不大于10h的PUP抛光布精抛及清洗。本发明通过贴付固定、粗抛、精抛、清洗及检测反馈的协同控制，将精抛阶段PUP材质抛光布的累计使用时长限定在10h以内，并结合布时记录、布面状态判定、精抛前活化处理及后续检测反馈机制，能够有效避免抛光布因纤维塌陷、微孔堵塞、布面硬化而造成的局部磨削不均和残留物吸附，从源头降低片雾缺陷的产生概率，实现了对片雾缺陷的过程预防和主动控制，可提高硅片表面平坦度、洁净度及抛光一致性，并提升后续光刻、刻蚀及器件制造工序的稳定性和产品良率。

本发明涉及半导体制造检测技术领域，公开了一种半导体加工中辅助提高产品颗粒检测方法。该方法获取颗粒检测设备对待检测半导体产品的颗粒检测结果及对应检测图像，确定颗粒不良且呈现彩色雾模式的待判定产品，从中选取检测样品并采用非接触式光学表面形貌检测设备进行粗糙度检测，获得粗糙度检测值；获取与待判定产品对应的预设粗糙度规格范围，将粗糙度检测值与该规格范围进行比较，当粗糙度检测值处于规格范围内时，确定产品满足正常流动条件，当粗糙度检测值超出规格范围时，将产品转入抛光工序返工处理。本发明通过粗糙度检测结果辅助颗粒检测判定，可减少彩色雾模式造成的非必要返工。

本发明公开了一种兼容6寸晶圆与8寸洗净机的转接式片盒及其清洗方法，具体涉及半导体制造技术领域，所述转接式片盒包括片盒本体、片盒本体内部的晶圆承载腔、设于晶圆承载腔两侧的多组晶圆卡槽、设于片盒本体外侧的机台定位结构以及设于片盒本体上的清洗流体通道；所述机台定位结构用于与8寸洗净机的标准片盒承载工位配合，所述晶圆承载腔及晶圆卡槽用于承载并限位6寸晶圆；清洗方法包括装片、上料定位、清洗及取片步骤。本发明所述的一种兼容6寸晶圆与8寸洗净机的转接式片盒及其清洗方法，能够使6寸晶圆在8寸洗净机中保持预定清洗姿态，并使清洗液体、漂洗液体、干燥气流及清洗废液经清洗流体通道进出晶圆承载腔。