原始名称记载: 中南钻石有限公司

本发明公开了降低马赛克法生长大尺寸金刚石单晶界面应力的方法，具体按照如下步骤实施：步骤1，选择多个尺寸大于10mm×10mm的金刚石单晶衬底；步骤2，利用激光切割对步骤1中的金刚石单晶衬底进行加工，在靠近边缘的位置处切割出多个方形孔或者一个矩形孔，该边缘为后续金刚石单晶衬底拼接的边；步骤3，对切割后的金刚石单晶衬底进行清洗后再拼接，再进行含O等离子体刻蚀处理；步骤4，采用化学气相沉积法在经过步骤3处理后的拼接金刚石衬底表面生长连续外延层，生长结束后采用高温氢氛围处理，切割后得到外延层。本发明通过对衬底待拼接的边缘切割孔，产生柔性区域，外延层生长后降低了衬底翘曲的可能，从而降低了拼接缝界面应力。