苏州镓耀半导体科技有限公司

本发明公开了一种β‑LiGaO外延膜及其MOCVD生长方法，其方法包括以下步骤：在MOCVD设备的反应室处于第一温度区间和第一压力时，对衬底材料进行原位表面预处理，以去除表面污染物并重构表面原子排列；将反应室调节至第二温度区间，同时引入锂前驱体、镓前驱体和氧前驱体，在VI/III比大于10：1的高氧氛围下进行化学气相沉积，在衬底材料表面生长β‑LiGaO外延膜；其中，第一温度区间包括300‑500℃；第一压力区间包括10‑100mbar；第二温度区间包括750‑1000℃。本发明特别适用于制备具有优异压电性能和晶格匹配特性的β‑LiGaO薄膜。