原始名称记载: 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

一种图形尺寸量测方法及系统、设备、存储介质及计算机程序产品，方法包括：提供设计版图，包括多个设计图形；获取设计版图对应的实际曝光结构的图像，图像包括多个曝光图形；根据将图像中的曝光图形与设计版图中对应的设计图形对准，获取图像在设计版图中的对准位置；基于对准位置，结合设计版图和图像，获取曝光图形在图像中的目标轮廓；通过目标轮廓获得曝光图形的尺寸。本发明有利于优化OPC模型以及提高预测性。

一种掩膜版修复方法及其修复装置，掩膜版修复方法包括：提供掩膜版，所述掩膜版包括透光区；对所述掩膜版进行损伤缺陷的定位操作，以获取所述透光区中的损伤缺陷的位置信息；基于获取的所述损伤缺陷的位置信息的情况下，对所述损伤缺陷处进行平整化处理，用于提高所述损伤缺陷处表面的平整度。通过对损伤缺陷进行平整化处理，提高损伤缺陷处的表面平整度，相应降低损伤缺陷处的发生漫反射的概率，从而提高损伤缺陷处的透光率(例如，透光率提升到31％至100％)，进而提高了掩模版的质量。

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成互连线，用于与互连结构电连接；形成覆盖互连线顶面的生长层，生长层的材料与互连结构的材料相同；在生长层上形成互连结构，互连结构通过生长层与互连线电连接。本发明有利于保障半导体结构的性能。

一种套刻对准标记和套刻误差的测量方法，套刻对准标记包括：前层标记，在平行于前层标记表面的方向上，前层标记具有第一几何中心；当层标记，位于前层标记的上方，在平行于当层标记表面的方向上，当层标记具有第二几何中心，且在同一投影面上，当层标记的投影图形位于前层标记的投影图形内部。本发明实施例能够通过获取第一几何中心的第一坐标，以及获取第二几何中心的第二坐标，确定第一坐标和第二坐标之间偏移矢量，用于表征套刻误差，从而能够同时获得包括横向套刻误差和纵向套刻误差的误差数值，与需要分别设置横向和纵向的套刻对准标记的方案相比，有利于节省套刻对准标记的面积，进而提高了套刻对准标记的性能。

一种套刻误差的测量方法及系统、装置、程序产品和存储介质，套刻误差的测量方法包括：获取第一状态下的产品晶圆和参考晶圆的第一参考套刻误差，第一参考套刻误差为产品晶圆上的第一前层套刻标记与参考晶圆上的第二前层套刻标记之间的套刻误差；获取第二状态下的产品晶圆和第一状态下的参考晶圆的第二参考套刻误差，第二参考套刻误差为产品晶圆上的当层套刻标记与参考晶圆上的第二前层套刻标记之间的套刻误差；根据第一参考套刻误差和第二参考套刻误差之间的偏差，获取产品晶圆的当层套刻标记和第一前层套刻标记的套刻误差。本发明实施例中获取套刻误差不受第一前层套刻标记与当层套刻标记之间纵向距离的限制，有利于降低获得套刻误差的难度。

本申请公开了版图处理方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取待处理版图；所述待处理版图包括多个图形，所述多个图形包括至少一个待调整图形；基于所述多个图形，确定所述待处理版图的目标版图图形密度；基于全局偏差与版图图形密度之间的相关性，确定所述目标版图图形密度对应的目标全局偏差；基于所述目标全局偏差，对所述至少一个待调整图形分别进行偏差补偿处理，得到目标版图。本申请可以消除不同掩膜版之间呈现出的刻蚀误差上的偏差，保证了工艺的健康度，提高了半导体产品的良率。

本申请公开了一种集成电路的标准单元结构及制备方法，包括位于衬底的PPNN区域，所述PPNN区域包括PP区和NN区；所述PP区和所述NN区中包括多个沿第一方向延伸的第一鳍片，所述PP区和所述NN区中的至少之一包括多个沿第一方向延伸的第二鳍片，所述第一鳍片和所述第二鳍片沿第二方向间隔排布；所述第二鳍片包括第一鳍结构和第二鳍结构，且具有间隔所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的间隔槽。本申请在PPNN区域中增设多个第二鳍片，以增加PPNN区域内的鳍片数量，进而增大饱和漏极电流，提升器件响应速度，相比于传统标准单元结构，器件性能得到了3％及以上的性能提升。

一种掩膜版图修正方法及系统、设备及存储介质、计算机程序产品，方法包括：基于光刻工艺支持的临界间距，获取金属线图形的目标移动距离；基于目标移动距离，对金属线图形和互连通孔图形沿着靠近图形稀疏区的方向进行一次或n次移动处理，直至移动至目标位置，且每次进行移动处理的过程中，金属线图形与互连通孔图形有重叠区域，n为大于1的整数。通过灵活控制重叠区域的面积大小，能够控制每次移动处理的移动距离，从而能够有效控制每次移动处理金属线图形和互连通孔图形的移动幅度，相应的，也就能实现对金属线图形和互连通孔图形移动处理的次数的控制，进而能够显著改善掩膜版图修正的效率，降低生产成本。

一种版图设计方法及系统、设备、存储介质及计算机程序产品，方法包括：提供初始版图，包括多个初始图形；获取初始版图中的薄弱点；基于薄弱点，建立初始版图中的目标窗口，目标窗口包括薄弱点及其周围的多个初始图形；对目标窗口进行多次图形处理，获得对应于多次图形处理的多个修正窗口，图形处理包括对目标窗口中的初始图形的图形属性进行调整，获得调整图形；对多个修正窗口进行光学邻近修正处理。本发明能够为在薄弱点处进行版图设计的设计准则做参考和指引。