原始名称记载: 安徽量芯光电科技有限公司

本发明属于光电探测器相关领域，公开了一种复合传输层的量子点光电探测器及其制备方法。所述复合传输层的量子点光电探测器，包括导电基体、电子传输层、量子点活性层、保护层和空穴传输层；所述导电基体、所述电子传输层、所述量子点活性层、所述保护层和所述空穴传输层由下至上依次设置；其中，所述空穴传输层包括金属单质和金属氧化物，所述金属单质的浓度由下至上呈梯度递增，所述金属氧化物的浓度由下至上呈梯度递增。通过浓度梯度的差异构筑驱动空穴向电极传输的内建电场，极大地提升了空穴抽取效率和光电探测器的响应速度。

本发明属于光电探测器制造技术领域，公开了一种阵列量子点薄膜及其制备方法、应用。所述量子点薄膜的制备方法包括：于基底上沉积绝缘层，于绝缘层表面形成具有孔洞阵列结构的光刻胶层，得到刻蚀孔，于刻蚀孔中依次沉积金属层和空穴传输层，然后去除孔洞阵列结构，放置掩膜版后喷墨打印量子点墨水，再移开掩膜版，依次于绝缘层表面沉积保护层、氧化锌层和ITO层。结合孔洞阵列结构和量子点喷墨工艺，实现微米级精度的量子点图案化，并且控制单个孔洞阵列结构中的量子点层厚度一致，量子点分布均匀，提高高密度像素化器件的产品质量。

本发明公开了一种在量子点薄膜上制备氮化硅保护层的方法，包括以下步骤：将含有量子点层的器件固定在ICP‑CVD设备的反应腔室中，采用氨气作为等离子气体，对量子点层的表面进行真空等离子体预处理，预处理完后，通入SiH和N气体进行等离子气相沉积氮化硅保护层。本发明的方法先通过氨气对量子点层表面进行预处理，在不影响量子点层性能的前提下，可以降低量子点层与氮化硅层之间的接触势能，因而可以减少气相沉积过程中量子点层上的应力，而且可以提升量子点层和氮化硅层之间的结合强度，进而可以有效提升器件的综合性能。