原始名称记载: 九维光子科技（昆山）有限公司

本发明公开了一种针对GeTe基相变光调制器的快速成型制备方法。本发明将GeTe材料作为相变层的同时，也将其作为光刻胶，通过对GeTe材料的曝光和显影处理，同步完成了相变材料层的图案化处理，简化了工艺流程，无需传统涂胶、剥离步骤；减少了光刻胶层的涂胶烘烤等步骤，减少了整体器件的温度累积对相变层的破坏，并提升了整体结构精度、改善了偏振敏感性。同时，针对GeTe材料作为相变层和光刻层进行制备工艺的优化，实现最小cd为200nm的高精度图形转移。

本发明公开了一种GeSe相变光开关及其激光热敏光刻制备方法，将GeSe材料作为相变光开关的相变层相比传统的三元或四元相变材料，具有组分简单、制备工艺稳定、环境友好等优点。通过本发明开发的激光热敏光刻制备方法，可使本发明制备的光开关实现更高的消光比，确保了光信号的有效切换；同时具有更高的光刻精度，最小特征尺寸可达100‑200nm，提高了光开关的集成度和性能，并能够更加精准的控制GeSe材料在光开关中的相变过程，进一步帮助光通信器件实现低功耗、高集成、高可靠方向发展。

本发明公开了一种基于相变材料与非易失性调控的多端口光开关。通过布置多个相变材料单元，借助相变材料单元的晶体形态控制，实现相变材料单元的不同组合状态，进而改变光信号在多模干涉区的传递路径，实现光信号在多个输出端口和输入端口的全逻辑映射，使光开关支持1×N或M×N光开关矩阵，无需串联或并联多个基本单元，有利于集成电路的高集成度实现，也为后续大规模扩展提供了基础。同时，采用相变材料对光开关的多模干涉区进行调控，可显著降低功耗，适用于长期稳定的光路配置，具有体积小、集成度高和切换速率高等优点。