原始名称记载: 北京超弦存储器研究院; 中国科学院微电子研究所

本发明涉及一种晶圆表面改性处理方法和混合键合方法，属于半导体封装技术领域，解决了现有的晶圆表面改性处理方法存在的混合键合时退火温度高和/或键合面孔隙率高的问题。所述方法包括：(1)在晶圆表面的金属焊盘和第一介质层上形成第二介质层；(2)去掉金属焊盘上表面的第二介质层；(3)在金属焊盘上表面形成铜镀层，并对铜镀层进行CMP研磨，使所述铜镀层的上表面低于所述第二介质层的上表面；(4)将铜镀层的凹陷锯齿状上表面平坦化；(5)CMP研磨第二介质层，使第二介质层与铜镀层的高度差达到目标高度差。该方法处理后的晶圆混合键合温度较低，键合面孔隙率低。

本发明涉及一种适用于混合键合的晶圆表面处理方法和混合键合方法，属于半导体封装技术领域，解决了现有的晶圆表面处理方法存在的退火温度高和/或键合面孔隙率高的问题。该方法包括：(1)在晶圆表面的金属焊盘和第一介质层上形成第二介质层；(2)对第二介质层依次进行CMP研磨和刻蚀，去掉金属焊盘上表面的部分第二介质层，露出金属焊盘的部分上表面；(3)沉积种子层和电镀铜，在金属焊盘的上表面形成铜镀层；(4)CMP工艺处理铜镀层，使所述铜镀层的上表面低于所述第二介质层的上表面。该方法处理后的晶圆混合键合温度较低，键合面孔隙率低。