原始名称记载: 上海朗矽科技有限公司

本公开提供了一种硅电容及其制作方法、电子器件，制作方法包括：获获取初始多层薄膜硅电容；基于初始多层薄膜硅电容得到多层深沟槽硅电容，基于多层深沟槽硅电容制作得到目标多层薄膜硅电容；相比于传统的单次只能蚀刻一个电极层和介质层，需形成台阶结构的多层硅电容制作方法，本公开硅电容的介质层层数不受限制，且每层介质层的面积得到有效提升，显著提升了多层薄膜硅电容的电容密度，且在一次刻蚀过程中可以同时刻蚀全部的电极层和介质层，在提升多层薄膜硅电容的电容密度的同时降低了制作成本，简化蚀刻工艺步骤，提高电容器的制作效率。

本公开提供了一种深沟槽硅电容器及其制备方法。所述制备方法包括：在硅衬底上刻蚀形成若干个深沟槽，并交替沉积介质层和电极层，形成多层堆叠结构；在多层堆叠结构上位于深沟槽一侧的预设位置处进行刻蚀，形成第一接触孔；采用第一制备工艺对第一接触孔进行制备，以使第一接触孔中处于第一相对位置的不同电极层互联；在多层堆叠结构上位于深沟槽另一侧的预设位置处进行刻蚀，形成第二接触孔；采用第二制备工艺对第二接触孔进行制备，以使第二接触孔中处于第二相对位置的不同电极层互联，得到深沟槽硅电容器。本公开可以有效增加横向介质层的面积，提升深沟槽硅电容器的集成度和容值密度，且能够有效降低制作成本和工艺难度。