№ CN122918696A发明专利
未知一种单晶硅拉晶参数控制方法、装置、设备及存储介质
本申请公开了一种单晶硅拉晶参数控制方法、装置、设备及存储介质。在执行本申请实施例提供的方法时,首先可以在进行炉台参数匹配时,获取工况参数。基于工况参数中的编码匹配字段确定待下载的参数文件名称,并基于历史拉晶运行数据确定单晶炉的目标等径斜率表,其中,编码匹配字段用于描述单晶硅拉晶过程中参数文件所适配的工况条件,历史拉晶运行数据包括坩埚剩料量和历史断线事件。再基于参数文件名称和目标等径斜率表向单晶炉下发控制指令,以使单晶炉根据参数文件名称下载对应的参数文件并结合目标等径斜率表,在等径生长过程中执行拉晶拉速控制。本申请可以提高单晶硅在断线工况下工艺参数配置的处理效率和斜率表选择准确率。
❖双良硅材料(包头)有限公司庞国东; 赵晓龙; 白建涛; 许克龙; 王立平Oct 16, 2026§ 4/10 权利要求C30B 15/20 (2006.01), C30B 27/02 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01)