原始名称记载: 华润微电子（重庆）有限公司

本发明提供了一种快恢复二极管及其制造方法，通过N型接触结构和沟槽栅结构能够调控P型发射极的空穴注入效率，使N型漂移层的载流子分布得到优化，从而在不需要额外的少数载流子寿命控制的情况下，便能够使器件的反向恢复时间、峰值电流和损耗得到改善，还能抑制电流电压异常振荡，同时器件的漏电流也得到降低，保证器件获得更高的可靠性与鲁棒性。

本发明提供了一种快恢复二极管及其制造方法，通过引入N型隔离层、N型接触结构和沟槽栅结构，从而在所述快恢复二极管的阳极引入了横向JFET结构，增加阳极电流的注入效率，从而调控P型发射极的空穴注入效率，进而优化器件内部载流子分布，在不需要额外少数载流子寿命控制技术下，获得优秀的反向恢复性能，还能很好地抑制电压电流异常振荡和电磁干扰问题。此外，本发明还能降低传统快恢复二极管少数载流子寿命控制方式带来的漏电偏大问题，从而提高器件的运行稳定性和可靠性。

本发明提供了一种快恢复二极管及其制造方法，P型体区层和P型发射极之间形成有N型隔离层，N型漂移层具有伸入到所述P型体区层中的凸出部，所述凸出部与所述N型隔离层相连；所述P型发射极侧形成有N型接触结构，所述N型接触结构和金属阳极相连，通过在所述P型体区层和所述P型发射极之间形成N型隔离层，从而在所述快恢复二极管的阳极引入了横向JFET结构，同时，所述N型接触结构和所述N型隔离层可以调节所述P型发射极的空穴注入效率，优化所述快恢复二极管内部的载流子分布，降低器件导通时的空穴电流，同时增加器件导通时的电子电流。避免了重金属污染、生产成本增大和反向恢复能力与导通性能之间的折中关系变差等问题。

本发明提供一种改善外延层套刻偏移的方法、一种超级结器件及其制作方法。所述改善外延层套刻偏移的方法中，多个外延层中的至少两个作为对准层，对准层中制作有用于光刻对准的标记图形，标记图形为位于对准层中的沟槽，其中，位于下方的对准层的标记图形对位于上方的对准层的第一区域的顶面轮廓产生影响，位于上方的对准层的标记图形形成在所述第一区域外，如此可以降低多个外延层的光刻套刻偏移值，降低光刻返工率，进而降低生产成本和生产周期。所述超级结器件的制作方法利用上述的改善外延层套刻偏移的方法在多个外延层中设置标记图形。所述超级结器件利用上述的超级结器件的制作方法制成。