用于制造多个半导体激光芯片的方法、半导体激光芯片、用于制造激光器件的方法以及激光器件
提出了一种用于制造多个半导体激光芯片的方法,具有以下步骤:‑在生长衬底(1)上提供外延半导体层序列(2),该外延半导体层序列具有被设置用于产生电磁辐射的有源层(5),其中有源层(5)布置在第一半导体层(3)与第二半导体层(4)之间;‑在第一半导体层(3)/第二半导体层(4)中产生具有光子晶体(10)的光子层(9);‑从外延半导体层序列(2)的主面出发产生凹部(7),其中凹部(7)穿透有源层(5);‑在凹部(7)中施加多个第一接触部位(13),该第一接触部位与第一半导体层(3)电接触,以及在外延半导体层序列(2)的主面上或上方施加多个第二接触部位(14),该第二接触部位与第二半导体层(4)电接触。此外,还提出了一种半导体激光芯片、一种用于制造激光器件的方法以及一种激光器件。