一种低临界频率高双折射率的双频液晶材料及其制备方法和应用
本发明涉及一种低临界频率高双折射率的双频液晶材料及其制备方法和应用,属于液晶材料制备技术领域。本发明的低临界频率高双折射率的双频液晶材料,将含有CFO基的正性液晶化合物与其它特定负性液晶化合物按照一定的重量百分比进行混配,形成具有双频驱动特性低临界频率的双频液晶材料。本发明的双频液晶材料具有低临界频率、Δn大、介电各向异性常数大、温度范围宽等优点。本发明的双频液晶材料在液晶调制器件中有很好的应用前景。
APPLICANTS
浏览来源中的申请人名称,以及导入专利中保留的原始名称字段。
这里按名称检索,不代表已核验的法律主体。同名可能指不同个人或组织;别名和历史名称不自动合并。
此页精确匹配完整原始名称字段。字段可能包含多个申请人或其他记载主体角色,名称边界和法律主体尚未核验;保留全部标点,不进行拆分。
33 条已索引专利记录