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本发明提供了一种3D堆叠封装结构及制备方法，其解决传统氧化硅介质结构刚性不足、散热差、应力缓冲弱的问题，有效降低硅基底整体翘曲，大幅改善后续多层制程应力拉扯形变，提升晶圆整体平整度与制程稳定性。其包括：硅基基底；芯片；绝缘缓冲层，其为纯金刚石绝缘缓冲层或多层复合缓冲绝缘结构，所述多层复合缓冲绝缘结构的底层为金刚石层；整体绝缘干膜；正面多层重布线层，其包括至少两层RDL重布线线路，位于底层的RDL重布线线路为第一层RDL重布线线路，位于顶层的RDL重布线线路为顶层RDL重布线线路；以及背面多层重布线层，其包括至少一层RDL重布线线路。

本发明提供了一种硅通孔互连结构及制备方法，其避免应力在拐角处集中，且降低热循环过程中不同材料间的热应力差值，进一步缓解应力集中现象，提升结构可靠性。一种硅通孔互连结构，其包括：硅基底；硅通孔，其为斜孔硅通孔或直孔硅通孔；钝化层；互连结构；以及阻焊层；所述硅通孔形成于硅基底、并在厚度方向连通到下方的芯片焊盘，所述硅通孔的底部径向外围、侧壁以及硅基底的上表面复合有所述钝化层，所述钝化层的上还复合有所述阻焊层，所述阻焊层、钝化层对应于硅通孔的区域设置有连通至芯片含片的通道，所述通道内填充所述互连结构。