原始名称记载: 北方工业大学; 粤港澳大湾区（广东）量子科学中心

本发明属于稀磁半导体薄膜技术领域，具体公开了γ射线诱导增强Y掺杂HfO稀磁半导体薄膜磁性的方法，包括如下步骤：S1、将Y掺杂HfO的靶材放置在射频装置，将111取向的YSZ衬底固定在射频装置的表盘中心位置，使靶材与衬底相对应；S2、开启射频电源，辉光稳定后正式溅射，得到薄膜；S3、将薄膜在马弗炉内退火；S4、将退火后的薄膜样品置于Co为辐照源的γ射线装置中进行辐照，实现总离子注入剂量处理。本发明采用上述的γ射线诱导增强Y掺杂HfO稀磁半导体薄膜磁性的方法，改善目前稀磁半导体薄膜中饱和磁化强度不高的问题，通过γ射线微剂量对Y掺杂HfO外延薄膜磁性进行增强调控。