苏州晶湛半导体有限公司

本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：依次层叠设置的衬底、沟道层以及势垒层；P型层，位于势垒层远离衬底一侧的栅极区域；插入层，位于P型层远离衬底一侧；帽层，位于插入层远离衬底一侧；其中，帽层远离衬底一侧的表面包括多个凹坑，凹坑可使帽层与栅极接触界面的晶面转变，从而有效提高肖特基势垒高度，降低栅极泄漏电流，提高器件质量和可靠性；插入层的材料不同于帽层的材料，调整势垒高度和界面态密度，改善肖特基接触特性，增强栅控能力。