原始名称记载: 福建省晋华集成电路有限公司

一种半导体结构，包括衬底，设置在所述衬底上的多条位线，多条位线沿着第一方向延伸并且沿着第二方向平行排列。多个绝缘插塞以及多个第一间隔物交替设置在位线之间。还包括：交替设置在位线之间的多个导电插塞以及多个第二间隔物。绝缘插塞和第一间隔物排布在导电插塞和第二间隔物的外侧，第一间隔物与绝缘插塞接触的一边缘具有外凸弧形轮廓，第二间隔物与导电插塞接触的一边缘具有内凹弧形轮廓，如此可获得尺寸较大的导电插塞以降低电阻，同时确保导电插塞之间的电性隔离。

本发明公开了半导体结构，包括焊盘阵列。焊盘阵列包括多个焊盘、焊盘边界、多个第二分支及至少一第一周围焊盘。焊盘排列成多行。焊盘边界设置在所有焊盘外侧，包括多个第一分支。第二分支与第一分支交替排列。至少一第一周围焊盘位在第一分支与焊盘之间，并且位在相邻的两个第二分支之间，其中，至少一第一周围焊盘的重心与排列在同一行的焊盘的重心不在一条线上。藉此，通过在焊盘阵列的周围设置重心偏移的周围焊盘，改善半导体器件可能衍生的结构缺陷。

本发明提供了一种半导体器件，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过改变相邻位线结构之间间隔的宽度，使得形成在不同相邻位线结构之间的连接垫结构在水平方向上的宽度不同，进而使得部分第二隔离结构发生位置偏移，以达到让部分相邻连接垫结构连通的目的。

本发明公开了半导体器件，包括衬底、栅极结构、多个绝缘间隔、多个第一焊盘、绝缘层、以及高介电常数材料层。绝缘间隔与栅极结构交替地设置在衬底上。第一焊盘设置在绝缘间隔上。绝缘层覆盖在绝缘间隔与栅极结构上，其中，覆盖在栅极结构上的绝缘层具有凹陷。高介电常数材料层设置在凹陷内，且高介电常数材料层的最底面低于第一焊盘的最顶面。如此，借助高介电常数材料层及/或绝缘层的设置改善栅极结构顶部的结构缺陷，避免其与上方设置的金属互连线之间衍生可能的短路问题。