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本发明公开了一种半导体及光伏单晶硅生长用石英坩埚模具及制备方法，属于坩埚模具加工技术领域，由内至外分为内层、中间层、外层三层结构；内层结构由树脂复合物改性碳纤维正交铺层经过首次CVI致密化后碳化再经第二次CVI致密化后得到；中间层结构由碳纤维三维编织体经改性树脂基体浸渍后经碳化得到；外层结构由呋喃树脂/短切碳纤维/石墨粉复合基体经过首次CVI致密化后碳化再经第二次CVI致密化后得到；外层结构的密度≥1.4g/cm。本发明通过三层结构实现了热膨胀系数的梯度过渡，有效缓解了层间热应力集中的问题。