浙江大学杭州国际科创中心

本发明公开了一种复合材料层间疲劳裂纹扩展的循环跳跃仿真方法，属于复合材料结构损伤仿真与疲劳寿命预测技术领域，包括：建立含层间裂纹的复合材料有限元模型，于层间界面布置内聚力单元并建立其编号与空间坐标索引的映射；计算各单元积分点失效状态并汇总为单元级损伤状态，将完全失效单元相邻的未失效单元标记为裂纹前沿单元；锁定裂纹前沿单元进入疲劳阶段的峰值驱动力，据此确定全局跳跃数，按此跳跃数推进总循环数及前沿单元疲劳损伤的更新，更新裂纹前沿集合；根据前沿单元坐标索引计算当前裂纹长度，输出疲劳循环数与裂纹长度的关系曲线。本发明可提高高周复合材料层间疲劳裂纹扩展仿真的计算效率、并行一致性和裂纹长度预测稳定性。

本申请涉及量子技术领域，特别涉及一种超导量子比特快速重置系统、方法及电子设备，系统包括：超导量子比特模块；可调耦合器模块，可调耦合器模块与超导量子比特模块相耦合，用于接收来自超导量子比特的能量；耗散谐振腔模块，与所述可调耦合器模块耦合，用于接收通过可调耦合器传导的来自超导量子比特的能量并进行耗散；信号发生模块，用于产生矩形方波及正弦调制控制信号；控制模块，用于周期性控制所述信号发生模块输出所述矩形方波及正弦调制控制信号至所述可调耦合器模块，以动态调节所述可调耦合器模块的频率。通过动态调制耦合器频率，解决现有技术中耦合器与谐振腔能量交换效率低、抗干扰能力弱等问题。

本发明提供一种以含硅化合物制备二氧化硅的方法，通过对水解反应参数和烧结参数的优化，提高了产物二氧化硅的体积密度，可以制备出高致密的二氧化硅，其中制备出的致密性最好的二氧化硅的体积密度可以达到1.591g/cm；本发明制备方法的原料仅使用含硅化合物和超纯水，不引入其他杂质，可以制备出适用于半导体制备领域的高纯石英砂，并且生产工艺简单、设备简易，易于SiO的工业化生产。