原始名称记载: 江苏集芯先进材料有限公司

本发明提出了一种基于等离子体辅助复合催化氧化的碳化硅粉料深度除碳方法，该碳化硅粉料深度除碳方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：用酸对碳化硅粉料原料进行清洗处理和烘干处理，得到预处理后碳化硅粉料；S2：将所述预处理后碳化硅粉料浸入硝酸钴、硝酸锰或硝酸铁溶液中，进行分散处理、蒸发处理和煅烧处理，得到金属氧化物/碳化硅复合催化剂；S3：将所述金属氧化物/碳化硅复合催化剂置于射频等离子体反应器中，进行氧化反应；S4：待所述氧化反应结束后，进行后处理，得到除碳后的碳化硅粉料。该除碳效果显著优于传统高温氧化法。

本申请公开了一种脱硫剂、碳化硅粉料的脱硫方法，属于碳化硅脱硫领域，其中，脱硫剂包括：碳酸盐；以及氧化剂，所述氧化剂的氧化还原电位为1.4V‑1.8V；所述碳酸盐和所述氧化剂的重量比为1:（0.20‑0.35）。本申请通过适宜氧化还原电位的氧化剂和碳酸盐在特定比例下进行搭配使用，形成脱硫剂。应用于碳化硅粉料脱硫时，显著提高了脱硫效果以及脱硫后碳化硅粉料产品的稳定性，同时该过程条件温和，无需高温等苛刻条件，且操作简便、可行性高，适合大规模工业化应用。

本申请属于碳化硅技术领域，公开了碳化硅颗粒除氮方法及高纯碳化硅粉料，该除氮方法包括：对碳化硅颗粒进行粉碎处理，得到碳化硅细颗粒；将所述碳化硅细颗粒在惰性气氛下进行煅烧，得到高纯碳化硅粉料；其中，煅烧温度为1800℃以上。该除氮方法操作简单，且制备得到的碳化硅粉料中的氮含量小于5ppm。

本申请涉及碳化硅生长技术领域，公开了碳化硅粉料及其制备方法、碳化硅粉料合成组件及装置，该碳化硅粉料的制备方法包括：将硅粉和碳粉进行混合，得到硅碳混合物；在持续通入甲烷气体的条件下，使所述硅碳混合物进行高温合成，得到碳化硅粉料。该制备方法操作简单，且制备得到的碳化硅粉料中的杂质含量可低于0.02ppm。

本申请公开了生长碳化硅晶体的热场装置，该热场装置包括：发热体，发热体包括籽晶固定件、导流筒和凸度调节件，导流筒和凸度调节件设置在籽晶固定件的下侧，且凸度调节件设置在导流筒的外侧；籽晶固定件朝向碳化硅晶体生长区的一侧设置有碳化硅籽晶；导流筒包括第一导流筒和第二导流筒，第一导流筒为直筒，第二导流筒为向下斜扩的锥形筒；凸度调节件包括第一凸度调节件和第二凸度调节件，第一凸度调节件为直筒，第二凸度调节件为向下收缩的锥形筒。本申请通过热场装置的设计可有效去除碳化硅晶体的生长小面，从而能有效降低碳化硅晶体中的位错聚集的风险，提高碳化硅晶体的品质。

本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，所述碳化硅晶体生长装置包括：生长容器；粉料容器，所述粉料容器内适于容纳碳化硅粉，所述粉料容器设在所述生长容器内且所述粉料容器的外周面与所述生长容器的内周面之间具有容纳空间；导流筒，所述导流筒包括多个在周向上可相互分离的弧形导流件，所述导流筒支撑在所述粉料容器的上端面上，每个所述弧形导流件可沿径向移动且构造为适于在生长的多晶的推动下由所述粉料容器的上端面滑落至所述容纳空间。根据本发明实施例的碳化硅晶体生长装置能够降低晶体基面位错缺陷密度且无需牺牲退火工艺和生长温度，具有晶体缺陷小、生产效率高等优点。

本申请公开了碳化硅晶体的生长系统以及籽晶固定和晶体生长的方法。该生长系统包括热场装置，热场装置包括：籽晶固定件、导流筒、外环件、坩埚和石墨纸，导流筒和外环件设置在籽晶固定件的下侧；坩埚设置在导流筒的下方，石墨纸设置在坩埚和导流筒之间，且石墨纸、导流筒和籽晶固定件共同限定出碳化硅晶体生长腔室，石墨纸和坩埚共同限定出碳化硅粉料腔室；籽晶固定件朝向碳化硅晶体生长腔室的一侧设置有碳化硅籽晶。本申请可将碳化硅籽晶粘接的烧结固化工艺直接合并到碳化硅晶体的生长工艺中，减少碳化硅籽晶处理的步骤，防止多道工艺对碳化硅籽晶的粘接效果及生长面缺陷的影响。同时，可提高碳化硅籽晶的固化烧结温度及时间，增强其粘接效果。

本申请涉及晶体生长技术领域，公开了坩埚装置、晶体生长系统、碳化硅晶体的制备方法。该坩埚装置包括坩埚，所述坩埚内部限定出容纳空间；外环，通过螺纹连接在所述坩埚上方；坩埚盖，盖设在所述外环上，并通过螺纹与所述外环连接；石墨纸，设置在所述外环和所述坩埚盖之间，所述石墨纸的边缘夹设在所述外环和所述坩埚盖之间；多孔石墨筒，设置在所述容纳空间内部，所述多孔石墨筒的侧壁和所述坩埚的侧壁之间具有间隙；籽晶板，设置在所述石墨纸远离所述坩埚盖的表面，所述籽晶板的边缘夹设在所述石墨纸和所述多孔石墨筒之间。该坩埚装置能够确保晶体生长过程中无气相组分的逃逸，由此实现碳化硅晶体的高速生长。