原始名称记载: 通威太阳能（彭山）有限公司

本发明公开了一种硅片制绒方法、太阳能电池的制备方法以及太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。硅片制绒方法先通过一次制绒清洗在硅片的正面形成由多个正梯形凸起组成的绒面，再通过二次制绒清洗在硅片的正面形成由多个倒梯形凸起组成的绒面。第一，能够提高绒面的光捕捉能力，使其可以接收多次反射，反射率较低（普遍小于5%），光反射损失较小，对长波长光的吸收能力较强，对光入射角度变化不敏感，第二，倒梯形凸起的顶部较为平滑，钝化效果较好，表面复核速率较低，光电转化效率较高，短路电流较高。

本申请涉及太阳电池技术领域，公开一种太阳电池的镀膜方法、膜层、太阳电池、光伏组件。镀膜方法采用镀膜设备进行，镀膜设备包括工艺管以及设置于工艺管的主体加热结构和辅助加热结构；镀膜方法包括：升温预处理：开启主体加热结构加热放置有待镀膜件的工艺管，主体加热结构被配置为按照预设温度将工艺管内升温至第一实际温度，第一实际温度小于预设温度430～510℃；沉积膜层：保持主体加热结构开启，并开启辅助加热结构，以使工艺管内升温至第二实际温度，向放置有待镀膜件的工艺管中通入反应气体，在待镀膜件上沉积膜层；第二实际温度为预设温度，或比第一实际温度更接近预设温度。采用该镀膜方法，膜层的致密性较高且爆膜程度较低。

本申请涉及太阳电池领域，公开一种石英舟的饱和工艺。饱和工艺包括以下步骤：向放置有石英舟的工艺管中通入载气，进行预处理，温度为800℃～950℃；向放置有石英舟的工艺管中通入混合气体，进行除杂处理，其中，混合气体包括氧气和含氯元素的掺杂气源，掺杂气源和氧气的流量比小于或者等于1:3，掺杂气源用于与氧气反应生成氯气和掺杂物质；向放置有石英舟的工艺管中通入氧气，进行氧化处理，氧化处理的温度高于预处理的温度。采用该饱和工艺较高程度的提高石英舟的饱和效果，提高石英舟的清洁度，从而有助于提高太阳电池的良率和效率。

本申请公开了一种太阳电池的制备方法及光伏组件，该太阳电池的制备方法包括以下步骤：在硅基底表面制备氮化硅层，氮化硅层包括若干依次叠层设置的第一氮化硅子层至第N氮化硅子层，第一氮化硅子层位于靠近硅基底一侧，第一氮化硅子层中的硅原子与氮原子之比为(0.32:1)～(0.38:1)；其中，N为大于1的正整数；热处理，使氮化硅层在835℃～915℃热处理5s～10s。本申请能够有效抑制太阳电池的紫外衰减，提升太阳电池的可靠性。

本申请涉及太阳电池领域，公开一种太阳电池及其制备方法，光伏组件。所述制备方法包括以下步骤：在硅基底的表面制备第一钝化层；所述表面设置有若干塔基底座，任一所述塔基底座的边长为9μm～25μm；对所述第一钝化层进行退火处理，退火的温度为470℃～540℃；在所述第一钝化层上烧结第一电极。采用该制备方法，能有效解决第一钝化层爆膜的问题，确保第一钝化层的钝化效果。

本申请涉及光伏发电技术领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、叠层太阳电池、光伏组件。该太阳电池包括：硅基底；图形化的掺杂硅层，设于硅基底的背光面；钝化层，设于硅基底的背光面，且掺杂硅层位于硅基底与钝化层之间；其中，背光面包括第一区域以及位于第一区域之外的第二区域，第一区域为设置有掺杂硅层的区域，第二区域为未设置掺杂硅层的区域；位于第二区域的背光面上具有若干第一金字塔微结构，若干第一金字塔微结构排布形成金字塔塔基微结构的轮廓形状，第一金字塔微结构的对角线长度为0.5μm～1μm。

本发明涉及太阳电池领域，公开一种钝化接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件，所述钝化接触结构包括：第一介质层，第一介质层被配置为靠近太阳电池的基底设置；第一掺杂层，所述第一掺杂层位于所述第一介质层上；第二介质层，所述第二介质层位于所述第一掺杂层背离所述第一介质层的一侧表面，所述第二介质层的厚度小于1nm；第二掺杂层，所述第二掺杂层位于所述第二介质层背离所述第一掺杂层的一侧表面；阻挡层，所述阻挡层位于所述第二掺杂层背离所述第二介质层的一侧表面。该钝化接触结构的第一介质层的结构的稳定性和完整性高，钝化性能较高，使得太阳电池出现角黑和暗片的几率低，有助于提高太阳电池的效率和良率。