原始名称记载: 信越半导体株式会社

本发明是一种SiC基板的制造方法，其为SiC基板100的制造方法，其特征在于，包括：接合工序，其将使3C‑SiC层1a生长于硅基板1上而成的生长基板21的3C‑SiC层1a接合于作为支撑基板3的多晶SiC基板从而得到接合基板10；去除工序，其将硅基板1自接合基板10去除；及，热处理工序，其对去除工序后的接合基板10进一步进行热处理，并进行3C‑SiC层1a的相变，由此得到具有与热处理前不同的晶面取向的SiC层1b的SiC基板100。由此，可提供一种SiC基板的制造方法，其能兼具大口径化与各式各样多型的SiC。

本发明是一种硅单晶制造装置，具备：腔室，其内部配置有石英坩埚、以及将该石英坩埚内的硅多晶原料加热熔融而制成原料熔液的加热器；气体导入配管；以及气体排放配管，该硅单晶制造装置是通过CZ法制造硅单晶的装置，其中，气体排放配管具有各自具有接头部的多个配管、以及能够通过流通冷却水进行液冷的管夹，多个配管的接头部彼此将密封材料夹持于其间而对置，并且，该对置的接头部彼此被所述管夹夹持，由此，多个配管彼此连接，通过管夹的液冷，能够进行接头部彼此之间的密封材料的冷却。由此，提供一种CZ硅单晶制造装置，其气体排放配管易于处置，并能够防止配管彼此之间的密封材料劣化。

本发明公开了一种圆筒磨削机，无论晶棒的两端有无圆锥状的锥部及尾部，均能够支承晶棒，进一步地具有：能够自动判别锥部等的有无的判别器，以及针对纵向进给磨削中的、由一对支承单元夹持晶棒的夹持力以及由磨削单元产生的每一次的最大切削余量，根据锥部等的有无而分别登记设定值的控制器，由控制器自动选择磨削工艺配方，并能够基于该磨削工艺配方自动实施纵向进给磨削，磨削工艺配方具有由判别器自动判别的锥部等的有无所对应的夹持力和每一次的最大切削余量的设定值。由此，提供圆筒磨削机及圆筒磨削方法，在晶棒的纵向进给磨削中，高效、低成本，并且能够防止晶棒的位置偏移、断裂的发生，以稳定的品质进行磨削加工。

本发明是一种GaN外延膜的制造方法，其特征在于，通过包含以下步骤来制造位错密度为1.0×10/cm以下的所述GaN外延膜：准备步骤，准备厚度小于1mm的支撑基板，其直径为150mm以上，并且由氮化物陶瓷所构成的芯被密封层密封；基板制造步骤，在所述支撑基板上依次层叠平坦化层和由SiC单晶所构成的晶种层，而获得外延生长用基板；及外延步骤，在所述外延生长用基板上生长厚度为7μm以上的GaN外延膜。由此，提供一种GaN外延膜的制造方法，其能够通过低成本且简易的工艺来生产一种位错密度为1.0×10/cm以下的GaN厚膜，该GaN厚膜为大直径，并且无翘曲、龟裂。