原始名称记载: 联华电子股份有限公司

磁阻式随机存取存储器阵列的脉冲信号产生器系统，包含延迟链电路、与非门、可调振幅反相器以及存储器阵列。延迟链电路用以接收输入信号，以产生延迟输出信号。与非门耦接延迟链电路，用以接收输入信号以及延迟输出信号，以产生第一脉冲信号。可调振幅反相器耦接在与非门，用以接收第一脉冲信号，以输出第二脉冲信号。存储器阵列耦接在可调振幅反相器。存储器阵列包含多个存储器单元。每一个存储器单元依据该第二脉冲信号被控制。

本发明公开一种具有高压晶体管、中压晶体管和低压晶体管的结构及其制作方法，其中具有高压、中压和低压晶体管的结构包含一基底，基底包含一高压区、一中压区和一低压区，一高压晶体管设置于高压区，高压晶体管包含一第一栅极介电层埋入于基底，一第一栅极结构设置于第一栅极介电层上，一中压晶体管设置于中压区，中压晶体管包含一第二栅极介电层埋入于基底，一第二栅极结构设置于第二栅极介电层上，其中第二栅极结构的厚度大于第一栅极结构的厚度。

本发明公开一种半导体结构，包括一电阻器及一电容器。电容器包括一顶电极与一底电极。半导体结构还包括一基板、一第一阱区、至少2个掺杂区域、至少一栅极以及至少一氧化物层。基板作为电容器的底电极。第一阱区设置于基板中。掺杂区域设置于第一阱区中，其中掺杂区域是连接于地端。栅极设置于基板上，其中栅极作为电阻器，且作为电容器的顶电极。氧化物层设置于栅极与基板之间。

本发明公开一种半导体结构，其中该半导体结构包含基底，具有多个鳍片；第一阱和第二阱，设置在基底中，多个鳍片与第一阱部分重叠并且与第二阱部分重叠；外延源极区，设置在第一阱内的多个鳍片上；外延漏极区，设置在第二阱内的多个鳍片上；栅极，设置在外延源极区和外延漏极区之间的多个鳍片上；沟槽隔离区，设置在栅极和外延漏极区之间的第二阱内；以及狭槽接触，设置在沟槽隔离区上。

本发明涉及电阻式存储单元，包含基底；下电极层，设置于该基底上；切换层，设置于该下电极层上，以及上电极层，设定于该切换层上，其中，该切换层包含局部掺杂区。该局部掺杂区的组成不同于该局部掺杂区外的该切换层的组成。

本发明公开一种磁阻式随机存取存储器布局结构，其中每个存储单元包含一第一字线、一第三字线以及一第二字线依序间隔排列在基底上且往一第一方向延伸越过主动区域、一第一磁隧穿结位于半导体后段金属层中，且一端连接到第二主动区域而另一端连接到一第一位线、一第二磁隧穿结位于该半导体后段金属层中，且一端连接到第三主动区域而另一端连接到一第二位线，其中该第一位线与该第二位线位于该半导体后段金属层中的不同金属层级、以及一来源线连接到第一主动区域与第四主动区域。

本发明公开一种半导体结构以及其制作方法，其中半导体结构的制作方法包括下列步骤。提供硅基底，对硅基底进行图案化制作工艺，用以在硅基底中形成多个第一沟槽。硅基底的一部分被图案化制作工艺图案化而成为在水平方向上位于中相邻的两个第一沟槽之间的第一鳍状结构，且第一鳍状结构的上角落沿水平方向上向外凸出。对第一鳍状结构进行氧化制作工艺，第一鳍状结构的一部分被氧化制作工艺氧化而成为氧化物层。进行移除制作工艺，用以移除氧化物层，且第一鳍状结构的上角落通过氧化制作工艺与移除制作工艺而成为弧形侧壁。

本发明公开一种磁阻式随机存取存储器元件及其制作方法，其中磁阻式随机存取存储器包含一底电极、一自旋轨道转矩层、一磁隧穿结以及一顶电极。自旋轨道转矩层设置于底电极上，磁隧穿结设置于自旋轨道转矩层上，顶电极设置于磁隧穿结上，其中顶电极包含一金属碳化物层。

本发明公开一种微机电麦克风及其制造方法。所述微机电麦克风包括基板、振膜、和背板。基板具有空腔。振膜设置在基板上，并跨越空腔。背板设置在振膜上方，并通过气隙与振膜分离。振膜具有波纹结构。背板具有对应波纹结构且位于波纹结构正上方的一部分。所述部分的高度差小于或等于波纹结构的高度差的20％。

本发明公开一种晶体管结构及其制造方法。上述晶体管结构包括衬底、隔离结构、第一外延层、第二外延层、栅介电层与栅极。隔离结构位于衬底中。隔离结构在衬底中定义出有源区。隔离结构具有位于有源区的两侧的第一凹陷与第二凹陷。第一凹陷与第二凹陷分别暴露出有源区中的衬底的第一侧壁与第二侧壁。第一外延层与第二外延层分别位于第一侧壁与第二侧壁上。第一外延层位于第一凹陷中且位于隔离结构上。第二外延层位于第二凹陷中且位于隔离结构上。栅介电层位于衬底、第一外延层与第二外延层上。栅极位于栅介电层上。上述晶体管结构可有效低降低漏电流。

本发明公开一种半导体结构以及其形成方法，其中半导体结构包含一基底，一氧化层，位于该基底的一表面，一栅极电极，位于该基底上并且部分接触该基底，且部分该栅极电极位于该氧化层上，一第一场板，位于该氧化层上，一第一介电层，覆盖该栅极电极，一第二介电层，位于该第一介电层上，一第二场板，位于该第一介电层与该第二介电层之间，一第三场板，位于该第二介电层上，其中从一剖面图来看，该第二场板的一水平位置位于该第一场板的一水平位置以及该第三场板的一水平位置之间。

本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中制作磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)元件的方法，其主要先形成一自旋轨道转矩式(spin orbit torque,SOT)层于一基底上，然后形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于该SOT层上，形成一第一遮盖层于该MTJ旁，再形成一第二遮盖层于该第一遮盖层旁，其中该第二遮盖层顶表面低于该第一遮盖层顶表面。

本发明公开一种半导体结构的布局图案以及其形成方法，其中半导体结构的布局图案包含多个SOT(Spin‑Orbit Torque，自旋轨道转矩)层，排列成阵列并且位于一介电层上，其中每一个SOT层下方连接两个接触插塞结构，多个MTJ(magnetic tunnel junction,磁隧穿结)结构排列成阵列，各MTJ结构分别位于各SOT层上，其中每一个SOT层上包含有一个MTJ结构，以及多个虚设MTJ结构，位于多个MTJ结构之间，其中各虚设MTJ结构的形状与各MTJ结构的形状不同。