南通威斯派尔半导体技术有限公司

本发明公开了一种嵌入式MCS结构半导体及其制备方法，包括以下步骤：S1.采用氮化硅陶瓷为基底，通过AMB工艺制备上层铜层和底层铜层，形成标准陶瓷覆铜板；S2.对上层铜层进行图形蚀刻，形成芯片焊盘与阶梯式铜凸台；S3.在阶梯式铜凸台的外围激光刻蚀凹槽，凹槽填充氮化硅陶瓷浆料，经排胶和烧结后形成局部陶瓷增强层；S4.对标准陶瓷覆铜板的基板进行平面化处理，保证阶梯式铜凸台的平整度；S5.在阶梯式铜凸台的表面印刷烧结焊料，贴装SiC芯片并进行低温压力烧结；S6.制备钝化层、阻焊层，完成引线键合与封装，得到最终器件，本发明提升了器件整体散热能力，大幅提升焊层与基板界面可靠性，适合大批量生产。