深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司

一种半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成牺牲材料层；图形化牺牲材料层，以在牺牲材料层中形成凹槽；仅在凹槽的侧壁上形成导电层。从而便于制备出高阻值且线宽较窄的导电层，有利于缩小导电层占用的面积。

本申请提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供衬底，衬底上形成有鳍片和横跨鳍片的栅极，其中，在栅极的侧壁、鳍片的侧壁和衬底组成的交界区域存在栅极材料层的残留部；在栅极的侧壁形成保护层，暴露残留部；以保护层为掩膜，去除残留部。本申请方案能够去除残留部，有效改善3DR，同时不会影响其他核心结构参数，提高了器件性能和可靠性。