北京集成电路装备创新中心有限公司

本申请提供了一种半导体器件及其制造方法和存储器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以解决传统的器件结构难以在抑制浮体效应的同时，实现垂直取向上的层间距的有效压缩的问题。半导体器件包括水平取向的有源层、字线电极和背栅电极，有源层具有源极区域以及漏极区域；有源层在垂直取向的两端分别形成第一栅控区和第二栅控区，第一栅控区和第二栅控区在垂直取向交替排布；字线电极设置于第一栅控区并支撑有源层；背栅电极设置于第二栅控区并支撑有源层，且背栅电极与字线电极在电性上隔离。其可以在抑制浮体效应的同时，减少垂直取向上的层间距。