强一半导体（苏州）股份有限公司

本发明涉及一种基于流变性的流延温度参数获取方法，以及一种大尺寸高厚度生瓷片的制造方法。该流延温度参数的获取方法，通过对不同温度下流延浆料的流变性能进行表征，选取流延浆料的损耗因子线性均匀递减的多个节点，以这些节点对应的温度，作为流延温度。采用上述方法获得的流延温度对LTCC流延浆料进行流延生产，能够稳定制造表面平整、膜厚均一的大尺寸高厚度LTCC生瓷片。

本发明涉及一种防过腐蚀的陶瓷基板制备工艺，包括：对陶瓷基板进行抛光和等离子清洗活化；在陶瓷基板整面压覆光敏PI薄膜并光刻显影，形成与待电镀图形匹配的闭环PI围坝和PI窗口，高温固化；全域溅射Ti‑Cu复合种子层，使其完整覆盖闭环PI围坝顶面及PI窗口内部；在复合种子层表面涂覆光刻胶并曝光显影，仅保留PI窗口的内部区域裸露；在PI窗口的内部区域分层电镀Cu‑Ni‑Au金属层；去除二次光刻胶；采用湿法腐蚀，去除陶瓷基板空白区域及闭环PI围坝顶面多余的复合种子层，得到PI窗口内的完整电镀图形。本发明采用两次光刻功能分离配合PI永久围坝物理锁边，可隔绝腐蚀药液与金属侧壁接触，从根源避免湿法腐蚀带来的侧蚀、底切缺陷，提升陶瓷基板长期封装可靠性。