原始名称记载: 中科艾尔（北京）科技有限公司

本发明公开了一种用于半导体气路的多层源瓶，所述多层源瓶至少包括：瓶身以及设置在所述瓶身内的多个支撑体，每个所述支撑体布置有多个凹槽，相邻两个凹槽之间形成凸出部，所述凹槽和凸出部交替设置在支撑体上；其中，所述凸出部包括一个第一凸出部和多个第二凸出部，所述第一凸出部上设置有一挡板和多个支撑体管，多个支撑体管均设置在挡板的同一侧。本发明通过增加凹凸槽，增加了每个支撑体与前驱体的接触面积，增加了前驱体的加热效率，有助于升华。同时通过增加运载气体的水平方向的上下颠簸，增加了运载气体的湍流。