原始名称记载: 北京中博芯半导体科技有限公司

本申请涉及一种高质量、低残余应力的AlN模板及其制备方法，属于半导体技术领域。该制备方法包括以下步骤：步骤1、对蓝宝石衬底进行Ar离子注入得到蓝宝石衬底中间体；Ar离子注入包括：通入Ar的气体体积流量为10~100sccm；步骤2、在蓝宝石衬底中间体上溅射第一AlN层；第一AlN层厚度为10~15nm；步骤3、在第一AlN层上1200~1300℃沉积第二AlN层；步骤4、将第二AlN层退火后清洗，得到AlN中间层；AlN中间层存在微裂纹；微裂纹的宽度为0.01~1μm；步骤5、在AlN中间层上依次生长低温AlN层和高温AlN层，得到AlN模板。该制备方法在保障AlN模板高晶体质量、低翘曲的基础上，有效提高其面内应力均匀性。

本申请提供了高质量增强型氮化镓外延片的制备方法，包括如下步骤：步骤1:提供氮化镓异质结外延结构；步骤2:在氮化镓异质结外延结构上采用脉冲式生长法制备氮化镓2D层，步骤3:在氮化镓2D层上制备P型氮化镓帽层；步骤4:在P型氮化镓帽层生长后，进行退火，得到高质量增强型氮化镓外延片。本申请通过脉冲式生长法在氮化铝镓势垒层与P型氮化镓之间生成高质量氮化镓2D层，达到缓解P型氮化镓生长面临的晶格失配和生长条件差异过大的问题；在P型氮化镓生长之后，优化退火工艺，在保证活化率的同时，消除表面退火坑，从而提升氮化镓外延片的可靠性和稳定性，进而得到表面粗糙度小、表面态密度低、无退火坑形貌的高质量增强型氮化镓外延片。