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Dossier

一种高性能碳化硅陶瓷构件及其制备方法

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10Claims · 2 independent
§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

何光起; 邬妍佼; 徐斌; 熊礼俊; 沈赟; 刘洁; 王坚; 姜建斌; 吕豪帅; 严小斌

IPC Classification

C04B 35/565 (2006.01)C04B 35/622 (2006.01)C04B 35/64 (2006.01)C04B 35/80 (2006.01)B33Y 10/00 (2015.01)B33Y 70/10 (2020.01)B33Y 80/00 (2015.01)

本发明公开了一种高性能碳化硅陶瓷构件及其制备方法,制备方法包括以下步骤:S1、制备两种丝材:分别制备核壳结构复合丝材和过渡层丝材;S2、梯度熔融沉积打印:使打印生坯的材料成分从内到外呈连续梯度变化;S3、低温催化反应:形成初始孔隙通道;S4、脱脂与预烧结:在坯体孔隙内原位生成纳米碳膜;S5、无压烧结;S6、气相渗硅。本发明通过核壳结构复合丝材和过渡层丝材的双丝材设计,结合梯度FDM打印及后续多步催化脱脂工艺,针对性碳化硅陶瓷脱脂开裂失效问题,实现构件从成型到致密化的全流程可控,为近净成形复杂形状高性能碳化硅陶瓷构件提供可实施的技术方案,满足航空航天、核能等领域对构件形状复杂度与性能的双重需求。

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