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硅片抛光液及其抛光硅片的方法、硅片和太阳能电池

发明专利有效
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12权利要求 · 6 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

方名文; 余宗保; 孟慧峰; 孙忠权; 翁航; 蒋卫朋; 施佳伟

IPC 分类

C09G 1/02 (2006.01)B24B 29/02 (2006.01)B24B 41/04 (2006.01)B24B 41/02 (2006.01)B24B 41/06 (2012.01)B24B 47/12 (2006.01)B24B 57/02 (2006.01)H10P 50/64 (2026.01)H10F 71/00 (2025.01)H10F 10/00 (2025.01)

本发明提供了一种硅片抛光液及其抛光硅片的方法、硅片和太阳能电池。硅片抛光液包括第一无机颗粒、第二无机颗粒、过硫酸铵、槐糖脂和溶剂,第一无机颗粒的粒径小于第二无机颗粒的粒径,且硅片抛光液呈碱性。由此,可以通过对硅片同时进行化学刻蚀和机械打磨的方式对硅片进行抛光处理,可以有效的降低硅片表面线痕凹凸的高度差,甚至无明显贯穿硅片的线痕,进而提升硅片的表面平整度,当利用该抛光液抛光的硅片用于钙钛矿/晶硅叠层电池时,可以有效提升钙钛矿顶电池中薄膜的沉积质量,进而提升电池的整体效率。