应用于半导体失效分析的染结方法

本发明提供了一种应用于半导体失效分析的染结方法，包括：从同一晶圆的不同曝光区域上截取失效样品和参照样品；将失效样品和参照样品研磨至接触层，并分别进行电性测试；根据电性测试的结果，对失效样品进行横截面切割，以暴露出电性异常的接触孔及其下层区域的剖面结构，对参照样品在相同位置进行横截面切割；用化学试剂对失效样品和参照样品进行染结处理；观察并对比失效样品和参照样品被化学试剂处理后的硅腐蚀程度和PN结的位置形貌，以寻找离子注入相关的失效机理。本发明可实现将不同掺杂浓度和不同掺杂类型区域的形貌直观显示的目的，为解释掺杂相关的失效机理提供有力的物性表征和依据。