一种掩模器件及其制备工艺

本发明提供一种掩模器件及其制备工艺，涉及半导体技术领域。该掩模器件包括自下而上依次堆叠的衬底、光介质层、粘结层和Cr膜层，Cr膜层包括光栅区和阻挡区，光栅区的厚度小于阻挡区的厚度，且光栅区形成有光栅结构；衬底设有供光栅结构向下透光的通光口。该掩模器件通过采用Cr膜层作为其光栅层，并设置Cr膜层中阻挡区的厚度大于光栅区的厚度，在确保光栅区形成光栅结构的有效高度，使得X射线经光栅结构具有较佳的干涉效果并形成目标曝光图形的基础上，有效提高阻挡区对X射线的反射和吸收，从而减少X射线穿过阻挡区形成的散射光对曝光图形的影响，相应确保X射线经过掩模器件时的有效干涉，得到高精确度的曝光图形。