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一种环形器插损的二次响应面优化方法

发明专利有效
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

蒋长军; 张李懿君; 占学谦; 史慧刚

IPC 分类

G06F 30/20 (2020.01)G06F 119/02 (2020.01)

本发明公开了一种环形器插损的二次响应面优化方法。涉及微波无源器件技术领域。方法包括:获取环形器的目标性能,根据目标性能确定环形器的可调因子集合;采用实验设计法在可调因子集合中筛选显著因子;根据显著因子构建二次响应面代理模型,以插入损耗最小化为优化目标训练模型;利用训练好的模型执行带约束的多目标寻优,得到最优参数组合;对最优参数组合进行验证后输出为最终设计参数。本发明通过筛选显著因子并构建二次响应面代理模型,以IL最小化为目标在约束空间内实现快速寻优,实验总量减少百分之七十,验证误差低于百分之五,显著缩短设计周期并降低插耗,适用于任意波段自偏置环形器低损耗工艺窗口的精准确定。