一种时变结温应力下的SiC MOSFET阈值电压加速退化模型

本发明公开了一种时变结温应力下的SiC MOSFET阈值电压加速退化模型，所述模型以器件时变结温应力序列、阈值电压退化率序列以及器件工作的开关次数为输入，以器件的阈值电压变化量为输出。相比于现有仅考虑恒定结温应力的SiC MOSFET加速退化模型无法适用于具有非恒定温度应力特点的实际任务工况的不足，本发明可考虑变结温应力下前序结温应力序列对后续退化的影响，能够更准确地描述器件处于时变结温任务工况下的阈值电压变化规律，对评估和优化器件使用可靠性具有重要意义。