基于读验证的多比特智能擦写方法、系统、终端及测试芯片

本发明提供一种基于读验证的多比特智能擦写方法、系统、终端及测试芯片，通过响应外部WRITE指令，对目标RRAM单元依次执行集成循环读验证与动态参数调优的擦除及编程操作。在擦除阶段持续监测单元阻态变化，基于智能算法动态优化电压幅值与脉冲时序，确保高阻态精准稳定形成；随后自动转入编程阶段，采用相同闭环控制机制实现低阻态高精度编程操作，并在验证通过后终止指令执行。本发明通过智能擦写方法在电路设计层面有效解决RRAM商业化应用中的关键技术瓶颈，包括存储单元阻值离散性、读操作窗口狭窄、读干扰敏感、编程成功率波动、限流控制精度不足、耐久性退化及数据保持失效等核心问题，显著提升并完善RRAM芯片的阵列一致性和长期可靠性。