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一种反铁电-顺电叠层储能电容器及其制备方法

发明专利有效
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

孙士伦; 刘亦谦; 刘隽甫; 徐绍亮

IPC 分类

H01G 4/30 (2006.01)H01G 4/018 (2006.01)H01G 4/002 (2006.01)H01G 4/00 (2006.01)

本发明提供一种反铁电‑顺电叠层储能电容器及其制备方法,制备方法至少包括:S1:于基板上沉积底电极层;S2:通过脉冲激光沉积工艺沉积第一介电层,第一介电层材料为顺电介质材料;S3:通过脉冲激光沉积工艺沉积第二介电层,第二介电层至少依次包括反铁电介质层和顺电介质层,反铁电介质层材料为反铁电材料,顺电介质层材料为顺电介质材料;S4:多次重复步骤S3;S5:沉积顶电极层。本发明的制备方法,通过分层的形式形成反铁电‑顺电叠层薄膜,构建反铁电介质层和顺电介质层循环交替沉积成型的结构,解决反铁电层和顺介电层间直接的界面平整度,提高层间非极性/反极性界面区的性能,减少缺陷产生,使得其储能电容器的储能密度升高,提升效率。