一种刻蚀装置和刻蚀方法

本发明公开一种刻蚀装置和刻蚀方法，涉及工艺制造技术领域，以提高刻蚀装置对待刻蚀对象的刻蚀精度和刻蚀均匀性，提高刻蚀良率。刻蚀装置包括反应腔室、阻挡结构、等离子体激发源、供气结构和支撑结构。阻挡结构设置在反应腔室内，用于将反应腔室分隔为上腔室和下腔室。第一工艺气体通道设置于上腔室，第二工艺气体通道设置于下腔室。等离子体激发源设置在上腔室内。阻挡结构包括至少一个过滤部，以阻挡上腔室内的带电粒子进入下腔室并使中性粒子通过。供气结构的入口与第二工艺气体通道连通，用于向下腔室内通入第二工艺气体。供气结构上设置有沿厚度方向贯穿的通孔。中性粒子和第二工艺气体均用于刻蚀去除待刻蚀结构。