高可靠性GaAs基大功率激光器外延结构及制备方法

本发明公开了高可靠性GaAs基大功率激光器外延结构及制备方法，从下至上包括：GaAs衬底，Alx1Ga1‑x1AsN限制层，Alx2Ga1‑x2AsN波导层，Inx3Ga1‑x3As量子阱层,Alx5Ga1‑x5AsP波导层，Alx6Ga1‑x6AsP限制层，GaAs欧姆接触层,在GaAs衬底与N限制层之间生长一层缓冲层；在P型限制层与GaAs欧姆接触层之间生长一层保护性覆盖层，包括步骤：在GaAs衬底上生长低铝组分阻隔层，再生长高铝组分过渡层，在应变超晶格阶变缓冲层上生长限制层；生长波导层，生长量子阱层，生长波导层，生长；生长超薄高铝层，再生长超薄低铝层，在超晶格功能覆盖层上生长GaAs欧姆接触层；本发明有效保护N限制层体材料及侧面的抗氧化能力，极大提升激光器的可靠性和寿命，解决了外延层体材料本身的易氧化性，工艺复杂、成本高的问题。