一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统

本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统，该半导体器件包括多个存储单元、第一保护层、第二保护层和第三保护层，存储单元包括依次堆叠的第一电极、选通层、第二电极、相变层和第三电极；第一保护层围绕所述选通层的侧壁；第二保护层围绕所述存储单元的侧壁，且所述第一保护层位于所述第二保护层和所述选通层之间；第三保护层围绕所述存储单元的侧壁，且所述第二保护层位于所述第三保护层和所述第一保护层之间，由于选通层的侧壁具有第一保护层、第二保护层和第三保护层，可以增加对选通侧壁的保护，提升选通层的稳定性。