分离栅IGBT结构及其栅极驱动电路

本发明属于技术领域，具体涉及一种分离栅IGBT结构及其栅电极驱动电路。本发明的分离栅IGBT结构通过结构设计和电场屏蔽效应，电容Cge和电容Cgc主要部分分别连接到控制栅aG和调制栅mG，从而可以实现Cge和Cgc的分别驱动，从而可以优化器件的开关损耗和EMI噪声。通过控制调制栅mG在N‑drift层的深度，可以采用更薄和掺杂浓度更高的漂移区来实现同等的击穿电压，从而可以同时降低其导通压降和关断损耗。电流变化率dIc/dt和电压变化率dVce/dt的调节通过不同的驱动芯片和回路的栅极电阻来实现，因此可以优化IGBT的开关波形。针对开通损耗和EMI噪声的折衷关系，在明确EMI噪声源（dVce/dt或者dIc/dt）的情况下，通过调节另一个变化率参数可以进一步优化开通损耗。