高电子迁移率晶体管结构与空乏型半导体晶体管结构

本发明公开一种高电子迁移率晶体管结构与空乏型半导体晶体管结构。在该高电子迁移率电晶体结构中，化合物半导体层形成于基底上，具有异质结，其具有第二导电形态的二维载流子气体。第一与第二电极均电连接至该化合物半导体层，但彼此在第一方向上相隔离。掺杂半导体岛直接形成于该化合物半导体层上，为第一导电型态，且彼此在第二方向上相隔离。该第二方向与该第一方向相垂直。栅电极形成于该等掺杂半导体岛上，且通过至少二接触孔，分别接触该等掺杂半导体岛。导电板形成于该栅电极与该化合物半导体层之间。在该第二方向上，该导电板位于该二接触孔之间。该导电板不实体接触位于该等掺杂半导体岛之间的该化合物半导体层。