一种基于复合栅与栅终端扩展的增强型GaN HEMT器件及其制备方法

本发明公开了一种基于复合栅与栅终端扩展的增强型GaN HEMT器件及其制备方法，其中的增强型GaN HEMT器件的复合栅结构中的p‑InGaN与p‑GaN/pGaN层异质结极化作用会在界面产生二维空穴气，并在高漏压关断时向沟道注入更多的空穴与电子复合，使得栅极附近下面沟道层的电子浓度降低，从而抑制缓冲层对沟道层的电子俘获，改善器件的动态表现，增强器件的可靠性，并利用栅终端扩展结构对复合栅结构进行扩展，优化器件的关态电场分布，能够重分布并削弱栅场板边缘的电场峰值，有效抑制电流崩塌效应，器件的制备方法工艺简单，成本较低。本方案能够提升栅稳定性和器件的动态性能，为更高频、更高效、更高功率密度的GaN功率系统提供可靠器件基础。