GaN HEMT器件及其制造方法

本发明提供一种GaN HEMT器件及其制造方法，包括：对应于GaN HEMT器件的场板区域设置至少一个导热孔，该导热孔从器件背面向上延伸，停止于器件表面钝化层的下表面，所述导热孔内形成有导热材料，可以将热量从器件的发热核心传导至外部。本发明提供的GaN HEMT器件，有效提升了GaN HEMT器件的散热能力，降低了自热效应对载流子迁移率的影响，避免了饱和漏电流和跨导的下降，同时减少了栅极漏电流和热电子损伤，提高了器件的可靠性和寿命。